来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为 " 动态控制半导体外延工艺中心 / 边缘区域生长速率的方法 " 的专利。申请公布号为 CN122138624A，申请号为 CN202610303902.5，申请公布日期为 2026 年 6 月 2 日，申请日期为 2026 年 3 月 13 日，发明人张君良、江澳、梁雨、谢智宇、王韦顺，专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司，专利代理师黄帅、许美红，分类号 H10P14/24、H10P14/20、H10D62/00、H10D62/10、C30B29/06、C30B25/16。

专利摘要显示，本申请公开了一种动态控制半导体外延工艺中心 / 边缘区域生长速率的方法，该方法包括：在生长目标外延层时，获取中心和边缘红外辐射传感器的比值，基于预设的第一映射关系确定基座的动态转速；第一映射关系定义为中心和边缘红外辐射传感器的比值与基座的动态转速之间的对应关系；根据基座的动态转速及预设的第二映射关系，确定目标外延层中心 / 边缘区域的生长速率；第二映射关系定义为中心 / 边缘区域的生长速率与基座的动态转速之间的对应关系；获取目标外延层中心 / 边缘区域的目标生长速率，动态调控基座的动态转速，使目标外延层中心 / 边缘区域的生长速率符合目标生长速率。本申请能够动态控制目标外延层中心 / 边缘区域的生长速率。

晶合集成成立于 2015 年 5 月 19 日，于 2023 年 5 月 5 日在上海证券交易所上市。公司注册及办公地址均涉及安徽省合肥市，是国内知名的 12 英寸晶圆代工企业，拥有先进工艺和稳定客户群。

晶合集成主要从事 12 英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及 MiniLED、MCU 概念、芯片概念等板块。

2025 年，晶合集成营业收入达 108.85 亿元，在行业 7 家公司中排名第 4，行业第一名中芯国际为 673.23 亿元，第二名华虹公司为 172.91 亿元，行业平均数为 166.12 亿元，中位数为 108.85 亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入 103.57 亿元，占比 95.14%。净利润方面，2025 年为 4.66 亿元，同样排名行业第 4，行业第一名中芯国际为 72.09 亿元，第二名赛微电子为 13.88 亿元，行业平均数为 9.67 亿元，中位数为 4.66 亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开 ( 公告 ) 号公开 ( 公告 ) 日期发明人 1 半导体结构及制备方法发明专利公布 CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露 2 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利公布 CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02 黄周远、许春龙、孟娟 3OPC 模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布 CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29 王康、罗招龙 4 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利公布 CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29 何赵鑫、黄胜 5 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利公布 CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29 郇小伟、金文祥、褚冉 6 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利公布 CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29 赵广、罗招龙、张国乾 7 降低 F 离子注入在 CIS 产品上产生白像素的方法及系统发明专利公布 CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽 8 半导体结构及其制备方法发明专利公布 CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26 王文智、王仲盛 9 半导体器件及其制造方法发明专利公布 CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤 10 静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利公布 CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19 田志锋、沈洁 11 一种 SRAM 集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布 CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞 12 一种 SRAM 集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布 CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞 13 一种半导体结构的制备方法发明专利公布 CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷 14 一种接触孔及其形成方法发明专利公布 CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19 贾涛、董宗谕、王佳佳 15 半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利公布 CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞 16 半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12 李飞、董宗谕 17 半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12 李飞、董宗谕 18 一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊 19 半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12 宋富冉、刘乃硕 20 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12 王康、罗招龙 21 电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼 22 伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12 李健、邵迎亚、汪雪春 23 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 24 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布 CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08 胡玉明 25 一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08 李雯琴、王文轩 26 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12 黄望望、王松、周丹玫、胡万春 27 晶体管结构及其制备方法发明专利公布 CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29 张帅博、郭廷晃 28 铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布 CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕 29 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05 曹平、刘苏涛 30 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀 31 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05 伍德超、郝小强、梁健 32 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05 刘华龙、张祥平 33 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01 李猛猛 34LDMOS 器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01 刘东山、吴其洪 35 半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05 王文智 36 电容结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪 37 半导体测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01 陈文璟、邵迎亚、汪雪春 38 半导体测试结构及厚度测量方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01 张盖、王雪、梁栋栋 39 图像传感结构、传感器及制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01 陈维邦 40 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟 41 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布 CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清 42 一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01 吴彬彬、朱瑶 43 一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01 牛昆龙、张晓亮 44 漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28 李响、丁峰、芮倩、汪小小 45 一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01 何杨、张劲 46 静电放电保护器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01 王维安、程洋 47 金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28 赵广、罗招龙 48 阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28 王维安、程洋、朱敏 49 一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12 周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋 50 晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610380634.72026-03-26CN121941088A2026-04-28 方晓宇、刁勤超、郭宜婷