据 THE ELEC 6 月 5 日报道，SK 海力士正式披露中长期扩产规划，计划于 2030~2031 年将 DRAM 晶圆月投料产能从当前 55 万片（含无锡工厂约 20 万片）提升至约 100 万片，新增产能全部布局韩国龙仁半导体产业园。

龙仁一期工厂含 6 间洁净室，首间设备进场时间已由 2027 年 5 月提前至 2027 年 2 月，调试后将实现月增 6 万片产能，此后每半年新增一间洁净室、每间月增 6 万片，预计 2030 年上半年仅一期即新增 36 万片月产能。同时，清州 M15X 工厂 2026 年下半年量产，2027 年产能爬坡至月产 8 万片。叠加后，龙仁与清州新增产能合计将支撑整体目标达成。

SK 海力士此前仅公布厂房结构，此次首次公开分阶段产能节奏。公司明确新建产线仅用于 DRAM，NAND 业务仅做制程升级，不扩晶圆规模。SK 集团会长崔泰源在台北电脑展已表态 "5 年内整体晶圆产能翻倍 "，与该规划一致，并强调不为短期价格波动动摇，坚定推进扩产。

行业指出，扩产将短期利好设备与原材料环节，但因历史订单波动及设备到货风险，落地仍存不确定性。因由高层直接定调，市场普遍认为本次规划落地确定性显著提升。