Nexperia 推出采用 QDPAK 封装的 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET，扩展其宽禁带半导体产品线。该器件采用顶部冷却的表面贴装封装，针对高功率密度和高散热需求的应用进行优化，适用于高效高压功率转换场景。产品提供工业级和车规级两种版本，导通电阻（RDS ( on ) ）可选 17、30、40、60 和 80m Ω，支持从高功率系统到空间与散热受限的紧凑型设计。QDPAK 封装有助于简化散热管理与机械集成，在紧凑结构中实现更高输出功率、更高效率及更优散热表现，并为设计人员在效率、功率密度和热性能方面提供更大优化空间。