网通社汽车频道 昨天
罗姆推出新型顶部散热SiC MOSFET封装 支持高电压与高效散热
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半导体制造商罗姆开发出用于碳化硅(SiC)MOSFET 的 TSC3PA 封装(尺寸为 14.00 × 18.58 × 3.50mm),采用顶部散热结构,将散热面设置在封装顶部,支持自动化贴装,并具备与传统 TO-247-4L 通孔封装相当的散热性能。该封装适用于车载充电器(OBC)和电动汽车电动压缩机等电源转换电路。随着 SiC 器件在电动汽车中的应用从主逆变器扩展至 OBC 和电动压缩机等领域,此类封装有助于提升充电速度与续航能力。此外,该技术也适用于工业设备,如高性能服务器电源和光伏逆变器等对高效率有严苛要求的应用场景。

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