来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为 " 功率模块 " 的专利，授权公告号 CN224368304U，授权公告日为 2026 年 6 月 16 日。申请号为 CN202521284708.4，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 6 月 23 日，发明人林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒，专利代理机构南京中高专利代理有限公司，专利代理师金啸，分类号 H10W70/65、H10W70/66、H10W70/692、H02M7/00、H10D80/20。

专利摘要显示，本实用新型属于功率模块技术领域，具体涉及一种功率模块。该功率模块包括：由下至上层叠设置的底层 DBC、中层 DBC 和顶层 DBC；各层 DBC 均包括层叠设置的正铜层、陶瓷层和背铜层；所述底层 DBC、中层 DBC 和顶层 DBC 的正铜层分别为集电极区域、发射极区和栅极区域。本实用新型的功率模块采用叠层 DBC 设计，模块的内部绝缘能力可通过各层陶瓷层的厚度进行控制，无需蚀刻槽填充密封胶方式进行绝缘，避免了现有技术中的不足；陶瓷的介电强度受温度变化比灌封胶小几个数量级，因此可长期服役下。此外，集电极区域、发射极区域和栅极区域处在不同高度上，均不在同一平面，因此栅极回路和功率回路间的互感影响极小，模块杂散电感小。

宏微科技成立于 2006 年 8 月 18 日，于 2021 年 9 月 1 日在上海证券交易所上市，注册地址与办公地址均位于江苏省常州市。该公司是国内功率半导体领域的重要企业，专注 IGBT 等功率半导体产品，具备较强的技术研发实力。

宏微科技所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及功率半导体、芯片概念、第三代半导体等概念板块。其主营业务是 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售。

2025 年，宏微科技实现营业收入 13.48 亿元，在行业 18 家公司中排名第 9，远低于第一名 *ST 闻泰的 312.53 亿元和第二名士兰微的 130.52 亿元，略高于行业中位数 13 亿元，低于行业平均数 39.84 亿元。主营业务中，模块 ( 封装 ) 收入 10.34 亿元，占比 76.74%。净利润方面，当期为 1528.89 万元，行业排名 14/18，远低于第一名扬杰科技的 12.45 亿元和第二名捷捷微电的 4.76 亿元，低于行业中位数 5933.85 万元，高于行业平均数 - 3.38 亿元。

江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开 ( 公告 ) 号公开 ( 公告 ) 日期发明人 1IGBT 器件及其制备方法发明专利公布 CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17 张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒 2 功率半导体模块外观专利授权 CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22 张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒 3 高散热功率半导体模块及模块连接组件发明专利实质审查的生效、公布 CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26 陈超、张海泉、崔崧、赵善麒 4 非对称单沟道平面 SiC MOSFET 器件及制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布 CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10 崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥 5 分离栅 IGBT 结构及其栅极驱动电路发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布 CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13 井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌 6SiC MOSFET 器件及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布 CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20 崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥 7 一种功率模块底板的曲面设计方法发明专利授权 CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23 周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒 8SiC 沟槽栅 MOSFET 器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23 戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒 9 具有高 K 介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28 刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒 10 高压快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16 林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒 11 功率模块实用新型授权 CN202521284708.42025-06-23CN224368304U2026-06-16 林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒 12 功率半导体模块外观专利授权 CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10 周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒 13 栅极开通、关断电阻独立控制的功率模块实用新型授权 CN202521206897.32025-06-13CN224343169U2026-06-09 李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒 14SiC MOSFET 功率模块实用新型授权 CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24 於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒 15 可拆卸式功率模块烧结压头实用新型授权 CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28 岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒 16 高耐压垂直型 GaN 基 MOSFET 器件发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布 CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11 刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒 17 一种半桥封装的单管结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11 井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒 18 栅极电阻调节结构及功率模块发明专利实质审查的生效、公布 CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13 李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒 19 二合一功率半导体模块及动力系统实用新型授权 CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24 张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒 20 快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06 黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒 21 防硫化的功率模块发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18 石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒 22 防硫化的功率模块实用新型授权 CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30 石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒 23 功率半导体模块外观专利授权 CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22 张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒 24 一种抗辐照 SiC 功率 MOSFET 器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28 林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒 25 一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新型授权 CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13 徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒 26 一种新型分体式压接 Pin 针结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04 周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒 27 一种新型分体式压接 Pin 针结构实用新型授权 CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26 周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒 28 一种改进 HD-GIT 结构的 HEMT 器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22 刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒 29 一种功率模块液冷散热结构实用新型授权 CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09 岳扬、张海泉、赵善麒 30 一种功率器件高温反偏试验温度确定方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28 王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒 31 一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14 陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒 32 功率半导体模块外观专利授权 CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29 周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒 33 一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构实用新型授权 CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14 陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒 34 一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新型授权 CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14 王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒 35 一种功率模块及其设计方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18 林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒 36 一种 SiC 功率 MOSFET 器件和制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24 张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒 37 一种 SiC 功率 MOSFET 器件实用新型授权 CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23 张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒 38 由半导体分立器件背面进行失效定位的方法发明专利公布 CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22 吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒 39 一种功率模块用的散热基板发明专利实质审查的生效、公布 CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30 石彩云、周祥 40 超声键合端子及其制造方法与具有压接功能的功率模块发明专利实质审查的生效、公布 CN202410753992.92024-06-12CN118588668A2024-09-03 周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒 41 一种超声键合端子及具有压接功能的功率模块实用新型授权 CN202421332326.X2024-06-12CN222775318U2025-04-18 周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒 42 功率半导体模块（二）外观专利授权 CN202430069202.62024-02-01CN308835654S2024-09-13 周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒 43 功率半导体模块（一）外观专利授权 CN202430069154.02024-02-01CN308835653S2024-09-13 周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒 44 功率模块封装结构和电子设备实用新型授权 CN202420196580.52024-01-26CN222637277U2025-03-18 李申祥、周祥、曾旭阳、赵善麒 45 快恢复二极管器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202311845493.42023-12-28CN117855290A2024-04-09 黄郭铖、林茂、戚丽娜、俞义长、赵善麒 46 双向 RC-MPTIGBT 器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202311744943.02023-12-18CN117936572A2024-04-26 戚丽娜、张景超、俞义长、陈国康、赵善麒 47 功率半导体模块外观专利授权 CN202330815179.62023-12-11CN308753168S2024-07-26 周祥、郑军、张海泉、张正义、麻长胜、赵善麒 48 键合平台实用新型授权 CN202323020089.12023-11-08CN221427683U2024-07-26 缪益炜、张正义、赵善麒 49SiC 功率 MOSFET 器件及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202311478426.32023-11-07CN117393605A2024-01-12 张景超、戚丽娜、井亚会、林茂、俞义长、赵善麒 50 一种 IGBT 单管叠片封装结构实用新型授权 CN202322856351.X2023-10-24CN221708714U2024-09-13 周昕、林茂、俞义长、赵善麒