培育钻石正在成为 AI 热潮中的受益者。

近日，麻省理工研发金刚石封装氮化镓芯片，突破散热瓶颈，打造出高性能功放，适配 6G 与卫星互联网场景。

搭载金刚石散热的无线器件，多项核心性能刷新了行业的水平。

凭借热门题材的加持，培育钻石概念股大涨。

其中，惠丰钻石涨超 12%，黄河旋风涨停，四方达涨超 7%，力量钻石、沃尔德涨超 4%，中兵红箭、国机精工跟涨。

金刚石散热升温

受供需变化的影响，培育钻石价格出现了断崖式的下跌。

据统计，曾经 1 克拉的高品质培育钻石价格已从 2020 年的 8000 元跌至如今的 3500 元。

到现在，培育钻石不仅仅局限于传统的珠宝首饰赛道，也成为了算力产业链里的重要新材料。

众所周知，培育钻石的核心原材料是人工金刚石。

金刚石因为其高硬度、耐高温、导热与电子迁移性能优异等热点，在散热技术、量子计算等领域爆发出强大的潜力。

近日，美国麻省理工学院研究团队通过在氮化镓（GaN）芯片中嵌入超薄单晶金刚石，成功突破了高功率无线芯片的散热瓶颈，并制备出性能创纪录的无线功率放大器，为 6G 通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新型芯片级热管理方案。

今年 1 月，英伟达宣布下一代 Vera Rubin 架构 GPU 将全面采用 "金刚石铜复合材料 + 液冷" 方案。

2 月，全球首台搭载钻石冷却技术的英伟达 H200 服务器交付商用。

3 月，Akash Systems 推出搭载 AMD MI350X GPU 的金刚石冷却服务器。

除此之外，国内厂商也已经攻克核心技术，实现了自主量产和商业化出货。

随着国产产能不断提升、工艺持续优化，合成钻石散热材料的成本稳步下降，应用场景也不断拓宽，从原本的军工、航天高端领域，逐步普及到 AI 算力芯片、民用服务器、消费电子等大众场景。

多家公司深度布局

随着应用的持续落地，金刚石散热走向规模化应用。

2026 年被视为金刚石散热产业化元年，全球市场规模预计突破 12 亿美元，同比增速超 200%。

目前金刚石散热主要分为金刚石热沉片、金刚石 / 金属复合材料等路径。

其中，金刚石铜复合材料因兼顾性能与成本，落地进度最快；同时，全球首批搭载 GaN-on-Diamond 技术的 AI 服务器已完成商业化交付。

随着英伟达等巨头将金刚石复合散热列为新一代高功耗 AI GPU 的标配方案，若按未来 AI 芯片环节价值量占比 8%-10% 及 20%-30% 渗透率测算，2030 年金刚石散热市场规模有望达到 480 亿至 900 亿元。

目前，国内金刚石上游产业链扩产正在密集落地。

四方达生产的金刚石散热片热导率在 2000W/ ( m · K ) 以上，主要用于 GPU 散热。数据显示，GPU 用上金刚石 GaN 载板后，热点温度能降低 10 ℃至 20 ℃，风扇转速砍半，超频能力提升 25%，整体温度降低 60%，能耗下降 40%。

今年 2 月，惠丰钻石发布公告，拟投资 10 亿元在包头市昆都仑区建设 CVD 金刚石项目，其中一期投资约 5 亿元，主要针对金刚石热沉片、半导体等功能材料及培育钻石的研发与生产。

国机精工金刚石功能化应用正重点拓展散热领域，已形成覆盖金刚石单晶、金刚石多晶及金刚石铜复合材料的产品矩阵。此外，CVD 金刚石产品（含单晶与多晶）已进入行业头部客户的验证阶段。

黄河旋风的国内首条 8 英寸金刚石热沉片生产线于 2026 年 2 月正式落成投产，是国内可量产最大尺寸热沉片的企业，重点推进多晶热沉片量产及金刚石铜复合材料布局。

力量钻石变更超 10 亿元募资投入金刚石功能材料项目，半导体高功率散热片项目一期已投产，全面扩容金刚石单晶 / 微粉 / 热沉片全产业链条。

惠丰钻石则投资 10 亿元建设包头 CVD 金刚石项目，预计 2026 年 7 月起陆续投产，主要生产大尺寸 CVD 金刚石单晶及 AI 芯片热沉基板。

东吴证券指出，随着 2.5D/3D 异构集成技术（如 CoWoS、SOIC）的普及，芯片内部的热流密度呈指数级上升。金刚石凭借其无可比拟的物理特性脱颖而出，热导率是铜的 5 倍以上，是硅的近 15 倍。金刚石的 CTE 约为 1.1ppm/K，与硅（2.6ppm/K）较为接近，能够有效降低热循环中的热应力。

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