IT之家 6小时前
挑战台积电:消息称英特尔携手联电开发 12nm 与 3nm 芯片工艺
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IT 之家消息,科技媒体 FundaAI 昨日(6 月 18 日)发布博文,报道称英特尔(Intel)为挑战台积电(TSMC)的代工主导地位,已和联电(UMC)达成合作,共同开发 12nm 与 3nm 芯片制造工艺。

IT 之家注:联电是全球第四大晶圆代工厂,仅次于台积电、三星电子和中芯国际,目前拥有 12 座晶圆厂,全球员工数量超过 2 万,长期专注于成熟制程,产品广泛应用于工业与消费领域。

消息称英特尔和联电计划在英特尔亚利桑那州 Fab 52 工厂集中生产,联电无需自行购置昂贵的极紫外光刻机等核心设备,此次合作标志着联电首次涉足前沿制程。

消息称双方的 12nm 合作率先落地,PDK(工艺设计套件)将于今年交付客户,2027 年初完成流片,年底进入量产。该节点主要服务于物联网、WiFi 芯片等市场。

在 3nm 工艺方面,双方计划开发一款性能对标台积电 3nm 的制程节点,帮助英特尔在全球代工市场获取更大份额。具体协议结构与 12nm 类似,联电将利用英特尔的制造能力实现技术跃迁,而英特尔则借力联电的客户资源提升产能利用率。

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