国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其制造方法、电子设备 " 的专利，公开号 CN122269693A，申请日期为 2026 年 5 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，其中半导体结构包括：存储阵列，存储阵列包括：多个晶体管组，每一晶体管组包括：垂直方向上间隔布置的多个半导体层；半导体层包括沿第一方向布置的第一源 / 漏区、沟道区以及第二源 / 漏区；第一源 / 漏区在远离沟道区的第一端部具有上表面、下表面和侧表面；多个栅极层，分别覆盖多个半导体层的沟道区；位线接触层，沿垂直方向延伸，位线接触层至少围绕第一端部的上表面、下表面和侧表面；位线层，沿垂直方向延伸并随形覆盖于位线接触层的表面，其中 , 位线层朝向位线接触层的表面具有与位线接触层相适配的形状，位线层通过位线接触层与多个第一源 / 漏区电连接。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于 2016 年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 6019279.7469 万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了 16 家企业，参与招投标项目 1082 次，财产线索方面有商标信息 287 条，专利信息 693 条，此外企业还拥有行政许可 39 个。

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作者：情报员