国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 ; 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其形成方法 " 的专利，公开号 CN122269838A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干像素区和环绕所述像素区的若干隔离区；位于像素区内的感光结构；位于隔离区内的隔离结构；位于衬底第一面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述隔离结构电连接，所述第一电连接结构包括第一连接层，所述第一连接层与衬底表面平行，且所述第一连接层位于部分所述像素区上方，所述第一连接层的透过率大于所述隔离结构的透过率。所述半导体结构的感光效率得到提升。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于 2002 年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 100000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了 1 家企业，参与招投标项目 49 次，专利信息 8199 条，此外企业还拥有行政许可 231 个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 120 次，财产线索方面有商标信息 226 条，专利信息 15027 条，此外企业还拥有行政许可 480 个。

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作者：情报员