硅基经济浪潮是渗透所有维度的范式革命，将重构人类文明底层代码。未来已来，硅基经济不是选择，而是必然，将是席卷人类社会每个角落的基础性范式革命，从能源获取、到生命密码，从价值交换、到文化生产，从基础设施、到劳动力结构，一切都将以硅为基，在全新的规则体系下运转，影响深度与广度将超越以往任何技术革命。

硅基经济专题：长鑫科技（拟 IPO）

AI 重塑存储战略价值，国产力量快速崛起

一、HBM 高利润率，推动全球存储产能，向高端产品集中。

HBM 平均售价，约为同等容量普通 DRAM 的 5~10 倍，HBM 毛利率超过 60%、甚至更高，普通 DRAM 毛利率约 30%~40%。

悬殊利润差异驱动下，2025 年以来，SK 海力士、三星、美光把更多产能转向 HBM，生产一颗 HBM 需要消耗的晶圆面积，约为同等容量普通 DRAM 的 3~5 倍，直接压缩普通 DRAM 与 NAND 供给，带动传统存储产品同步紧缺。

供给端，受洁净室建设周期、芯片生产设备交付周期等影响，新建一座存储芯片晶圆厂，从破土动工到正式量产，通常需要 18~24 个月，2026 年几乎无新增产能释放。

供需不平衡，引发存储芯片行业全面涨价。2026 年 Q1，服务器 DRAM 合约价格环比上涨 90%~95%，企业级 SSD 价格环比上涨 53%~58%。本轮存储短缺周期持续时间，市场普遍预计将延续至 2027 年、甚至更长时间。

二、长鑫科技、长江存储，分别填补国产 DRAM、NAND 短板，填补国产化缺口。

长鑫、长存技术路线不同，分别补上中国在运行内存、长期存储两个核心环节短板，使中国在基础存储芯片领域，拥有全球级参与者。

长鑫代表中国大陆 DRAM 从 0 到 1，主要用于服务器、手机、PC、汽车电子等场景；长江代表中国大陆 NAND 从 0 到 1，主要用于消费电子、企业级 SSD、嵌入式存储等场景。

长鑫、长存是中国半导体产业最成功的突破之一，共同构成中国存储产业的核心支点。长鑫代表中国 DRAM 厂商，进入全球主要厂商阵营；长存代表中国 NAND 厂商，具备全球竞争能力；两家公司在商业模式与产业生态上，走出中国特色的发展道路。

中国存储产业长期看点，不只是国产替代比例提高，是中国企业能否在全球寡头垄断的核心芯片赛道中，持续扩大份额、提升技术代际、带动产业链成熟，真正参与全球存储产业规则重塑。

长鑫、长存目前在高端技术、品牌影响力、全球市场份额上，与国际存储巨头存在不小差距，不能盲目乐观。

中国存储产业，未来 5~10 年将是发展关键期，需要保持战略定力，坚持自主创新，推动中国存储产业全面崛起。

三、本轮全球存储超级周期，为长鑫、长存带来难得发展机遇。

【硅基经济】万亿美元俱乐部扩容：AI 重构全球科技权力版图，中国硬科技价值重估

国际存储巨头，把更多资源投向 HBM，普通 DRAM 与 NAND 供给紧张，价格大幅上涨。

长鑫、长存作为国内 DRAM、NAND 领先企业，既受益行业涨价周期，也受益国产替代逻辑，国内服务器、云计算、手机、PC、智能汽车等产业链，都需要更稳定的本土存储供应，推动长鑫、长存产品量价齐升，业绩爆发式增长。

2026 年以来，长鑫收入、利润进一步放大，实现业绩爆发式增长。截至 2025 年底，长鑫历史累计亏损 367 亿；2026 年 Q1，长鑫收入 508.0 亿，同比增长超 7 倍；2026 年 Q1，长鑫净利润 330.1 亿，归母净利润 247.6 亿，扣非后归母净利润 263.4 亿，全面扭亏为盈，一个季度盈利，几乎弥补成立以来累计亏损。

2026 年上半年，长鑫预计收入 1,100~1,200 亿（+612.5%~677.3%），预计净利润 660~750 亿（+1,714.7%~1,934.8%），预计归母净利润 500~570 亿（+2,244.0%~2,544.2%），预计扣非后归母净利润 520~580 亿（+2,278.9%~2,530.3%）。

四、长鑫、长存不满足现有业务边界，积极向更高价值产品延伸。

媒体报道，长鑫在推进 HBM3 研发与产线建设，相关样品已向华为等国内 AI 芯片客户送样或验证；长存在推进 DRAM 相关布局，依托 Xtacking 积累的混合键合能力，切入 HBM 相关堆叠与封装技术方向。

长鑫 DRAM 能力，长存 NAND、混合键合、3D 堆叠能力，未来存在很大协同空间，有望共同推动国产存储，从基础品类突破，走向高端 HBM、先进封装、系统级供给等领域，将补齐国产算力产业链的关键短板，支撑国产 AI 芯片生态发展，在更高端存储市场上正面挑战国际巨头。

五、长鑫即将科创板 IPO，长存启动上市进程，借助资本市场，加快扩产与技术升级，把握发展窗口期。

长鑫 IPO 拟募资 295 亿，主要投向产能扩张、技术升级、前瞻技术研发等方面。

长存加快推进武汉工厂产能扩张与下一代 3D NAND 工艺迭代。

存储行业景气周期，国际存储巨头产能不足，中国加快核心供应链国产替代，为长鑫、长存带来巨大市场机会，两家公司把握行业景气环境，推进上市进程，借助资本市场，加快扩产与技术升级，扩大收入与利润规模，积累产能、技术、客户、供应链等优势，支撑未来长期发展。

存储迎来超级周期

一、2026 年 6 月 24 日，美光发布 2026 财年 Q3 财报（美光财年为当年 9 月 ~ 次年 8 月），收入、毛利率、净利润、现金流等指标，刷新美光公司纪录，显示存储行业处于持续上行周期，成为 AI 算力基础设施中的战略性资产。

2026 财年 Q3，美光收入 414.6 亿美元，同比增长 346%，环比增长 74%，连续 5 个季度刷新单季收入纪录。

2026 财年 Q3，美光收入按产品口径分，内存 DRAM（包括 HBM、普通 DRAM）收入 313 亿美元，同比增长 343%，占总收入 76%；闪存 NAND 收入 99 亿美元，同比增长 361%，占总收入 24%。

2026 财年 Q3，美光收入增长，来自价格与出货共同推动。DRAM 价格环比上涨超过 60%，NAND 价格环比上涨超过 80%；DRAM 出货量环比低个位数增长，NAND 出货量环比中个位数增长。

2026 财年 Q3，美光盈利能力刷新公司纪录，HBM 等高价值产品占比提升，放大利润弹性。

2026 财年 Q3，美光 Non-GAAP 毛利率 84.9%，环比提升 10 个百分点；Non-GAAP 营业利润 336.8 亿美元，营业利润率 81.2%；Non-GAAP 净利润 288.6 亿美元，净利率 69.6%；GAAP 净利润 282.4 亿美元，净利率 68.1%；Non-GAAP 每股收益 25.11 美元，GAAP 每股收益 24.67 美元。

2026 财年 Q3，美光现金流水平，达到历史高位，资产负债表从上轮下行周期中明显修复。

2026 财年 Q3，美光经营现金流 254 亿美元，自由现金流 183 亿美元，刷新公司单季纪录；季末现金、可交易投资、受限现金 302 亿美元，债务降至 57 亿美元，净现金 245 亿美元。

美光客户，主要包括数据中心、移动与客户端、汽车与嵌入式等方向，数据中心成为核心增长来源。

2026 财年 Q3，美光数据中心收入超过 250 亿美元，对应年化收入超过 1,000 亿美元。

AI 数据中心，对内存带宽、容量、延迟、功耗要求持续提高，HBM、数据中心 SSD 成为高价值存储产品主要扩张方向。

2026 年 3 月，美光宣布 HBM4 进入高量产阶段，开始面向客户批量出货；截至 2026 财年 Q3，美光 HBM4 累计出货收入已超过 10 亿美元；升级版 HBM4E，处于开发推进中，预计 2027 年量产。

美光不断扩大战略客户协议 SCA，削弱存储行业周期波动，提升长期收入确定性。

截至 2026 年 6 月 24 日财报发布，美光签署 16 份战略客户协议 SCA，覆盖数据中心、消费电子、汽车等市场。多数协议，期限通常为 5 年；汽车行业客户协议，期限通常为 3 年。多数协议，设置价格下限与上限；部分协议，采用固定价格或市场定价。

16 份 SCA 中 14 份，按最低价格计算，剩余协议期收入约 1,000 亿美元；对包含价格区间的 SCA，即使按价格下限算，对应美光毛利率，高于美光过去周期的峰值水平。

SCA 改变美光过去随行就市的盈利模式，客户提前锁定供给，降低美光扩产风险。

美光管理层预计，根据已签 SCA，将获得约 220 亿美元现金保证金、相关财务承诺，包括约 180 亿美元现金保证金。

现金保证金对应现金流，计入美光融资活动现金流，不计入自由现金流，将在协议后半段逐步返还客户；随着 SCA 协议覆盖面扩大，美光预计未来将有约一半或更多收入，纳入 SCA 体系。

美光预计存储行业供需紧张格局，将延续到 2027 年以后。

美光 CEO 桑杰 · 梅罗特拉 Sanjay Mehrotra 表示，AI 将存储芯片地位提升为战略资产；受限复杂的工艺升级与产能建设周期，全行业存储供应短缺局面，将持续至 2027 年以后；未来人形机器人的单体内存需求将达普通汽车 10 倍，或催生下一个数十年的存储超级周期。

美光对下个季度业绩指引，高于市场预期。美光预计 2026 财年 Q4 收入 500 亿美元，上下浮动 10 亿美元；Non-GAAP 毛利率，进一步提升至约 86%；Non-GAAP 每股收益 31 美元，上下浮动 1 美元。

美光管理层在财报电话会议上表示，预计 2026 财年 Q4 毛利率将继续上行，存储价格上涨速度将明显放缓；2026 财年，美光资本开支预计约 270 亿美元；2027 财年，美光资本开支将继续增长，新增投入超过半数，将用于洁净室建设。

二、2026 年 6 月 25 日，苹果上调 Mac、iPad 等产品价格，部分机型涨幅约 15%~25%，iPhone 暂未纳入本轮涨价。

苹果把涨价原因，指向存储芯片成本上升。苹果 CEO 库克表示，多年没见过存储组件价格，以这样速度与幅度上涨，AI 数据中心扩张造成的需求冲击，已超出消费电子行业以往经验。

苹果长期以强供应链管理、强议价能力著称，过去能通过规模化采购，压低 DRAM、NAND 成本。

现在苹果开始向终端消费者，转移存储涨价压力，说明先进存储供给稀缺，已从上游半导体，传导到消费电子终端。

苹果涨价，没直接点名美光，后续美光管理层表态，引发市场对终端厂商与存储厂商立场差异的关注。

美光首席商务官 Sumit Sadana 表示，上轮存储周期低谷时，部分客户持续压低采购价格，让存储厂商利润、现金流承压，很多投资在 2023 年被迫关停，削弱存储行业后续供给弹性。

美光高管表述，也没有点名苹果，市场联想到苹果长期强势的采购议价能力。

苹果将涨价，归因上游存储成本上涨；美光把存储供给不足，部分归因此前大客户压价行为，造成行业投资收缩。

存储成本压力上升背景下，媒体报道，苹果向美国政府寻求监管确认或许可，希望采购长鑫科技的内存芯片。

苹果寻找三星、SK 海力士、美光之外的存储芯片供应，缓解存储价格上涨、供应集中风险。长鑫产品价格，相对三星、SK 海力士、美光，更具竞争力。

苹果采购长鑫内存，难点在于长鑫被美国国防部列入 1260H 清单，不同于美国商务部实体清单，不直接禁止美国公司采购，但可能带来政治、声誉、后续监管不确定性。

苹果涨价、美光回应、苹果采购长鑫传闻，代表存储短缺，改变消费电子与存储厂商间的力量关系。

过去，消费电子行业是存储厂商大客户，苹果等消费电子巨头掌握更强议价权。

当前，AI 数据中心以更高毛利、更长期协议争夺 HBM、DRAM、NAND 产能，消费电子厂商的成本控制空间被压缩。

三、2026 年 6 月 29 日，媒体报道，韩国总统李在明，将在首尔青瓦台主持韩国大飞跃三大超级项目国民报告会，三星董事长李在镕、SK 集团会长崔泰源将出席，公布面向半导体、AI 数据中心、物理 AI、机器人等方向的大规模投资计划。

行业人士预计，三星、SK 海力士两家公司，未来 10 年投资总额可能超过 1,000 万亿韩元 / 约 6,500 亿美元。

三星、SK 海力士这轮投资计划主线，是将存储行业景气，转化为韩国本土产业能力与区域发展能力。

过去，韩国半导体产能，高度集中在首都圈与京畿道，三星的平泽、华城、器兴，SK 海力士的利川、龙仁等基地，构成韩国存储产业核心。

AI 推动 HBM、DRAM、NAND、先进封装需求持续上升，首都圈基地开始面临土地、电力、水资源、输电等瓶颈。

韩国政府希望在非首都圈，形成新的先进产业基础，三星、SK 海力士这轮投资，将涵盖韩国全罗道、忠清道、庆尚道等地区，帮助缓解韩国首都圈资源瓶颈，带动韩国地方就业与配套产业发展，强化韩国在 AI 存储周期中的国家竞争力。