$ 四川双马 ( SZ000935 ) $   2026 年 6 月 30 日，上交所官网显示，北京天科合达半导体股份有限公司（简称：天科合达）科创板 IPO 申请获受理，保荐机构为中国国际金融股份有限公司，审计机构为立信会计师事务所（特殊普通合伙），律师事务所为国浩律师（杭州）事务所。

主营业务情况

公司专注于第三代半导体材料碳化硅衬底及相关产品的研发、生产和销售，是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业。历经二十年技术攻坚与产业化实践，公司打破了海外厂商对碳化硅衬底的长期垄断，已成长为碳化硅材料领域的全球领军企业之一，2023 年以来核心产品导电型碳化硅衬底市场占有率均排名全球前三。基于碳化硅衬底领域的深厚积累，公司向下游碳化硅外延片业务战略延伸，构建了行业内稀缺的 " 衬底 + 外延 " 一体化交付体系，实现了对下游器件厂商核心需求的直接响应与深度协同。

碳化硅材料具备宽禁带、高击穿电场强度、高热导率、高饱和电子漂移速率等性能禀赋，赋予碳化硅器件耐高压、大功率、低损耗、高散热等突出特性，高效适配能源与电力电子领域各类应用场景日益增长的高性能、高效率、轻量化要求，成为全球能源转型与新一轮信息技术革命的重要驱动力。随着新能源汽车、光伏发电与储能、轨道交通、智能电网、移动通信等规模化应用场景的需求持续增长，叠加 AI 算力基础设施、AR 眼镜、低空经济等新兴领域商业化进程的加速推进，碳化硅正从 " 可选项 " 转变为 " 必选项 "，向规模化普及加速渗透。

作为国内碳化硅材料领域的技术引领者和产业化先驱，公司建立了国内第一条碳化硅衬底中试生产线，相继实现了 2 英寸至 8 英寸碳化硅衬底的规模化生产，并成功研发 12 英寸碳化硅衬底产品。依托先进的技术水平、优异的产品性能和稳定的供应能力，公司与下游众多大型半导体企业建立了良好合作关系，客户覆盖了客户一、客户二、客户三、客户四、客户五等知名半导体器件厂商，为碳化硅器件的规模化应用和产业链自主可控提供了有力支撑。

经过二十年的研发创新和技术积累，公司建立了覆盖 " 设备研制—衬底制备—外延生长 " 的碳化硅材料生产全流程核心技术体系。公司先后承担国家 "02 专项 " 项目 " 线圈内置式大尺寸 SiC 单晶炉研发 "、国家 "863 计划 " 项目 " 大尺寸 SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术研究 " 和 "LED 外延生长用 SiC 衬底制备技术研究 "、国家科技支撑计划项目 " 宽带隙半导体材料碳化硅晶体产业化开发 "、国家重点研发计划 " 大尺寸 SiC 单晶衬底制备产业化技术 " 等多项国家重大科研项目；牵头起草《碳化硅单晶抛光片》《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》《碳化硅单晶位错密度的测试方法》《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》等 4 项国家标准，参与起草《Specificationfor4H-SiCHomoepitaxialWafer（4H-SiC 同质外延片标准）》《碳化硅单晶片微管密度测试方法》等 9 项国际标准、国家标准及行业标准。截至报告期末，公司在碳化硅材料及设备领域取得授权专利 136 项，其中境内发明专利 61 项、境外发明专利 8 项。公司建立了成熟先进的生产管理体系，是国内少数通过 IATF16949 车规级质量体系认证的碳化硅衬底生产商之一。公司获得国家级专精特新 " 小巨人 " 企业、" 十一五 " 国家科技计划执行优秀团队奖、全国五一劳动奖状等多项荣誉，研发中心晶体生长部获得 2026 年 " 全国工人先锋号 " 荣誉称号。凭借雄厚的技术积淀和前瞻性的研发创新，公司持续引领国内碳化硅材料产业的技术攻坚。

面对国家半导体产业重大战略需求，公司将持续聚焦第三代半导体碳化硅材料领域，不断加强技术研发，提升关键技术实力，持续推动市场开拓和产能建设，积极完善产业布局，致力于成为国际领先的碳化硅材料供应商，进一步提高我国第三代半导体产业关键材料自主供应能力。

公司构建了覆盖碳化硅材料领域的完整产品体系，主要产品包括碳化硅衬底、碳化硅外延片及其他碳化硅产品。具体而言，公司自主生产碳化硅单晶生长炉，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅晶体，经过切割、加工等工艺后制备碳化硅衬底，在衬底基础上采用化学气相沉淀法（CVD）生长碳化硅外延片。公司主要产品及应用情况如下：

公司股权结构

主要财务数据和财务指标

募集资金用途

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