创历史新高。

作者 |  刘煜

编辑 |  陈骏达

芯东西 7 月 7 日报道，三星电子今日公布 2026 年第二季度业绩指引，根据韩国企业会计准则（K-IFRS）预计，其今年第二季度合并营收约为171 万亿韩元（约合人民币 7601.44 亿元），同比增长约129.3%；合并营业利润约为89.4 万亿韩元（约合人民币 3974.08 亿元），同比增长约1810.3%，超过市场预期。该公司此季度业绩电话会议将于 7 月 30 日举行。

三星电子该季度业绩增势迅猛，横向对比全球存储行业龙头该公司业绩优势突出。

今年 6 月，增长势头同样强劲的美光科技刚突破万亿美元市值，据其公布的 2026 财年第三季度财报，按美国通用会计准则（GAAP）口径统计，该季度美光实现营业利润333.18 亿美元（约合人民币 2264.4 亿元）；而三星电子本季度披露的合并营业利润规模，远超美光这一最新财季业绩。

不过亮眼的业绩预期并未立刻带动股价走强。截至今日 10 点 15 左右，三星电子股价为29.55万韩元（约合人民币元 1342.48 元），下跌约 7.08%，市值为2029.62 万亿韩元（约合人民币 9.02 万亿元）。今年以来，该公司股价累计涨幅约182%。

三星电子业绩大幅回暖的支撑，部分来自该公司高端 AI 存储产品产品落地与持续技术迭代。

今年 2 月，三星电子HBM4已开始量产，并向客户发货商用产品；今年 4 月，三星电子存储业务执行副总裁金宰俊在该公司 2026 年第一季度财报电话会议上透露，三星电子现有 HBM4 产能已被全部预订，预计第三季度起 HBM4 营收占全部 HBM 业务收入比重将超过 50%，全年 HBM 营收也将有一半来自 HBM4。

HBM 配套逻辑芯片需求释放，也带动三星电子晶圆代工业务迎来阶段性盈利。

据韩国半导体产业媒体 BLOTER 援引知情人士消息报道，三星电子晶圆代工事业部今年 6 月实现单月盈利，是 2023 年以来首次月度盈利；业内人士分析称，HBM 基础裸片订单放量、4nm 工艺良率显著提升，共同推动代工业务月度损益转正。

亮眼业绩背后，三星电子正持续加码下一代高端存储技术储备。

今年 5 月底，三星电子宣布其HBM4E样品已经开始向全球主要客户送样。该款产品可实现 14Gbps 的稳定引脚传输速率，性能最高可拓展至 16Gbps。相较 HBM4，其整体性能提升超 20%，单堆栈内存带宽最高可达 3.6TB/s。

工艺方面，该款 HBM4E 产品采用业界最先进的第六代 10 纳米级 DRAM 工艺（1c 工艺），搭配三星电子晶圆代工 4 纳米逻辑基底芯片，可大幅提升 HBM4E 的工艺稳定性与量产可行性。

除 HBM 产品迭代外，三星电子在端侧 AI 移动存储领域也实现突破。

今年 6 月，三星电子宣布成功研发出业内速度最快的通用闪存存储（UFS 5.0）解决方案。三星UFS 5.0完全遵循 JEDEC 最新嵌入式存储接口规范，拥有行业顶尖传输带宽，峰值速率可达 10.8GB/s。

这一新的存储方案可提供最高 10.8GB/s 的读取速度和最高达 9.5GB/s 的顺序写入速度，两项指标均为上一代 UFS 4.1 标准的 2 倍以上；同时，三星 UFS 5.0 的能效也得到提升，相较 UFS 4.1 能效提升超过40%。性能大幅提升后，端侧 AI 应用则可极速完成海量数据的存储与运算任务。

三星 UFS 5.0 采用超小型规格封装，整体尺寸仅 7.5 毫米 × 13 毫米 × 0.9 毫米，相比前代产品体积缩小 16.7%。这一小巧的封装尺寸能提升手机、智能穿戴、XR 设备等各类终端的内部空间利用率，给整机设计留出更高灵活度。

同时，三星电子计划于 2026 年第四季度启动 UFS 5.0 量产，将推出最高达 1TB 的多种容量版本，覆盖多类终端市场。

结语：龙头企业业绩显著受益，

高端量产节奏或决定行业格局  

当前，存储芯片供需持续紧张，三星电子作为存储芯片龙头之一直接受益，给出了亮眼的单季财报业绩预期。

在 AI 算力与端侧智能终端双重需求拉动下，存储行业形成高带宽内存、高速嵌入式闪存双线技术迭代趋势。未来，厂商高端存储产品的研发与量产进度，也将持续影响企业盈利表现与行业整体供需格局。

来源：三星电子官网、BLOTER