这真是好事

英国《金融时报》报道，中国存储芯片制造商长鑫存储正在迎来成立以来的高光时刻。这家曾连续十年亏损、累计亏损达 370 亿元的公司，在今年第一季度实现净利润 330 亿元，并有望在本月登陆科创板，估值或高达 3 万亿元。

据两名知情人士透露，苹果已开始测试长鑫存储的 DRAM 芯片，用于在中国市场销售的设备。苹果正牵头美国科技企业游说美国政府，希望允许更广泛地使用长鑫存储的产品。此前，苹果在 2022 年探索使用中国存储芯片供应商时曾面临美国政策制定者的反对。

长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 制造商，仅次于 SK 海力士、三星电子和美光。据 SemiAnalysis 数据，去年长鑫存储约占全球 DRAM 晶圆产能的 11%，预计到 2028 年随着合肥、上海和北京新产线投产，这一比例将升至 15%。

据长鑫存储 IPO 招股书披露，公司今年一季度净利润达 330 亿元，而过去十年累计亏损 370 亿元。此次 IPO 计划募资 295 亿元，用于升级制造工艺、研发 " 下一代 "DRAM 技术以及引进高端工程人才。分析师预计，长鑫存储上市后估值有望高达 3 万亿元，届时合肥市政府早期投资将获得超过 1 万亿元的回报——相当于合肥一年的 GDP。

长鑫存储的崛起与合肥地方政府的长期扶持密不可分。据财务披露，2023 至 2025 年间，长鑫存储获得至少 60 亿元政府补贴。公司拥有至少 15 家国有股东，合计持股 36%。合肥政府为其提供了廉价土地、融资和补贴，并帮助吸引供应商和客户在合肥建立产业生态。

长鑫存储还通过与荷兰 ASML 的密切合作获得关键设备。尽管 ASML 的 EUV 光刻机仍被禁运，但深紫外光刻机仍可正常采购。在公司总部外，2024 年设立的 " 友谊园 " 以两只握手的雕塑纪念双方合作。

尽管长鑫存储在 DRAM 领域快速崛起，但在高带宽内存（HBM）领域仍远远落后于三大巨头。招股书中未提及 HBM 业务。由于无法购买 ASML 的 EUV 光刻机，长鑫存储在 HBM 生产上面临良率较低的挑战。但韩国多家媒体均认为，长鑫在 HBM 高带宽内存的技术代差不足两年。

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