快科技 7 月 8 日消息，IDC 发布最新报告指出，DRAM 与 NAND Flash 市场正面临深层结构性转变。

受技术制程排挤与长约绑定影响，整体紧缺预计一路延续至 2027 年第四季。2028 与 2029 年才是新厂产能开出的真正转折点。

自 2026 年起，全球记忆体需求重心已全面从 PC 和智能手机等消费应用转移至服务器、HBM 及企业级 SSD 等 AI 基础设施。

2026 年因材料成本攀升，传统消费级产品增长严重受压。PC 与智能手机今年出货量预计分别减少 12% 与 14%。

此外，PC 材料成本暴增 2 至 3 倍，使得白牌与低阶市场受创最深。智能手机市场呈现 " 中低阶低迷、高阶旗舰款存活 " 的两极格局。

即便全球原厂预计 2027 年将 DRAM 总晶圆产能调升 20%，实质产出仍面临结构性限制。先进制程遭遇产能限制，先进封装排挤效应显著。

随着下世代芯片架构准备导入 LPDDR5 规格的 SOCAMM 技术，到 2027 年 HBM 与 SOCAMM 两项先进封装需求将直接囊括全球超过 30% 的 DRAM 总晶圆产能。

IDC 数据模型显示，2026 至 2027 年间全球 DRAM 实际位元生产增长率将持续低于需求增速。供需缺口将随时间推移进一步加剧。

虽然全球大厂正持续规划新厂，但 2027 年前实质可开出的全新晶圆厂产能极为有限，手机、PC 成本难以出现明显下调。

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