7 月 10 日，高带宽内存 HBM 作为多层 DRAM 垂直堆叠的高附加值芯片，是英伟达（NVDA.US）等 AI 加速器性能的核心部件。

此前 HBM 基底芯片（Base Die）采用成熟制程，但 HBM4 起引入智能手机 AP 与服务器 CPU 的先进逻辑制程，其数据调度效率直接决定整体性能，成为三大存储厂商竞争焦点。

三星电子采用自研 4nm 制程基底芯片，实现从设计、生产到封装全链条垂直整合，全力提升性能，预计主导英伟达高端 HBM4 订单，但面临良率偏低挑战。

SK 海力士现阶段使用台积电（TSM.US）12nm 成熟工艺保障量产稳定，已获苹果（AAPL.US）、英伟达等验证，计划未来过渡至 3nm，并依托 MR-MUF 封装技术实现性能与产能平衡，走稳健迭代路径，但受台积电产能分配影响存在不确定性。

美光科技（MU.US）仍以成熟制程为主，先进基底芯片布局滞后，战略侧重供应链稳定与成本控制，自研及代工绑定力度弱于韩企，产品迭代节奏相对缓慢。