（文 / 汤普济 编辑 / 吕栋）

近日，有媒体走访深圳华强北发现，长鑫存储部分服务器内存条的现货价格已经接近三星、SK 海力士、美光等三大 DRAM 巨头的同容量产品。

华强北商户表示，长鑫存储 64GB 服务器内存条长期供不应求，128GB 产品单次到货有时不足 10 条，而海外品牌单月供货规模可达数万条。长鑫存储目前的议价能力建立在目前存储行业整体供应紧张的状态上，而非出货规模优势。

虽然在另一边的手机存储市场中，产业链人士透露长鑫存储出货量规模不断扩大，在国产安卓品牌手机中的采用比例超过 30%，并预计继续向 50% 靠近。

但长鑫存储的 LPDDR 颗粒的价格也并未随着需求增加出现低价，少量现货反而出现溢价，更接近国际厂商。业内人士透露，长鑫存储同规格产品与 SK 海力士相比，价差通常只有个位数百分比，部分产品的价格已没有明显差别。显然，当前价格也受手机 DRAM 市场整体供应紧张的作用影响。

面向炙手可热的存储市场，三大原厂均启动扩产：SK 海力士清州 M15X 预计率先于 2026 年放量，三星平泽 P5 计划 2028 年开始量产；美光爱达荷首厂预计将于 2027 年年中开始生产晶圆，二号厂 2028 投产。7 月 9 日，美光更将投资上调至超 2500 亿美元（约合人民币 1.9 万亿元），纽约厂建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地。

而目前，长鑫存储于 5 月 27 日发布的招股说明书披露，在合肥和北京拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四，但与前三家国际厂商仍有差距，现有产能也低于国内市场需求。2025 年第四季度，长鑫存储在全球 DRAM 市场的销售额份额升至 7.67%，但三大原厂合计仍占据九成以上市场。

这将为长鑫存储带来不得不考量的问题：当国外巨头新建产能纷纷释放，现有产能规模和定价体系能否承受全球供给增加带来的价格冲击。

答案就藏在长鑫存储给出的招股书中。

扩充产能，是长鑫存储给出的第一重答案。长鑫存储计划投入 75 亿元改造现有晶圆量产线，推动产线向中高端产品切换；另以 180 亿元实施 DRAM 技术升级，其中 174 亿元用于设备购置和安装，两项工程均计划在 2028 年上半年完成验收。SemiAnalysis 预计，长鑫晶圆月产能将从 2025 年底的约 26.5 万片，增至 2026 年底的 35 万片、2027 年底的 42 万片，并于 2028 年底达到约 50 万片，三年内接近翻倍，在全球 DRAM 产能份额占比 17% 左右。

要让扩产落地，资金必须先行。长鑫存储于 7 月 9 日正式披露科创板 IPO 招股意向书，并计划于 7 月 16 日启动申购，拟募集 295 亿元，成为 2026 年以来 A 股规模最大的 IPO 之一。其中 75 亿元用于量产线升级，130 亿元用于 DRAM 技术升级，90 亿元投向前瞻技术研究。

真正面向未来的，仍是工艺迭代与产品能力。2025 年，长鑫存储研发投入达 95.93 亿元，同比增长约 51%，并将重点投向第五代工艺平台，以及更高密度的 LPDDR5X、LPDDR6 和 DDR5 等下一代产品；7 月，长鑫存储被报道正测试 " 键合 DRAM" 试验线，尝试通过晶圆键合进一步提高存储密度和性能，与三星、SK 海力士和美光同台竞速。

撕下 " 低价替代 " 的旧标签之后，长鑫存储面对的是建立可持续竞争力的挑战。只有抓住当下，将现货溢价沉淀为制造和技术优势，长鑫才能真正成为全球 DRAM 市场中的第四极。

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