据 Sawyer Merritt 报道，三星代工厂一名首席工程师在领英发文透露，特斯拉   AI5 芯片近期已完成流片，即将交由三星晶圆厂采用其   2nm 级工艺量产。

三星晶圆厂首席工程师 James Kim 在领英帖子中写道：" 特斯拉与三星合作的 AI5 芯片已顺利流片。该芯片计划在泰勒晶圆厂采用我们最新的 2nm 工艺制造，很快将搭载于特斯拉新一代产品。过去数月，能与特斯拉帕洛阿尔托、奥斯汀基地的顶尖工程师合作，我倍感荣幸。"

埃隆・马斯克曾在   4 月中旬展示特斯拉 AI5 首版样片，并透露这款处理器将同时交由台积电、三星晶圆厂两家代工。据悉，台积电工艺版本的 AI5 流片时间，比三星工艺版本早了数月。

马斯克   4 月展示的特斯拉 AI5 处理器模组集成了尺寸小巧的加速芯片，根据他此前表述，芯片面积大约仅为半片光刻掩模版；模组搭配 12 颗 SK 海力士存储封装，规格为标准 GDDR6 或 GDDR7 显存。整套封装采用有机基板，存储元件标识与传统独立 DRAM 芯片保持一致。

特斯拉尚未公布   AI5 内存子系统位宽，但 12 颗显存封装意味着其外部内存接口带宽规格较高。若模组确实搭载 12 颗 GDDR6/GDDR7 显存芯片，处理器将配备 384 位内存总线。根据选用的显存工艺与传输速率不同，内存带宽区间可达 768GB/s 至 1.536TB/s。

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