快科技 7 月 14 日消息，据美国银行最新分析报告，韩国总统李在明高调宣布的 "2030 年产能翻倍 " 目标面临着严峻的现实考验。

6 月底，李在明宣布了一项规模高达 800 兆韩元的大型投资计划，要在韩国西南沿海的光州、全罗地带打造 " 存储新聚落 "，目标是在 2030 年让三星与 SK 海力士的 DRAM 晶圆产能翻倍。

三星与 SK 海力士合计掌握全球过半 DRAM 市占率，在 HBM 领域更超过八成，美光 7 月初也宣布斥资 93 亿美元在日本扩产 HBM，预计两年后出货。

消息一出，市场担忧供过于求导致价格崩跌，全球存储类股应声暴跌，美光单周下跌 15%，铠侠跌去一成，闪迪市值蒸发近两成。

然而美国银行在最新报告中指出，要评估韩国存储芯片供给能否实质增加仍为时过早，2030 年产能翻倍听起来惊人，但拉长时间轴来看仅代表每年约 15% 的年复合增长率。

扣除旧厂因技术升级关闭以及制程微缩导致的产能减损后，实际运转的晶圆产能扩张率每年将低于 10%，到 2030 年的增长远不及翻倍水平。

供应链更传出，SK 海力士 2028 年实际新增的产能可能只有最初规划的六分之一。

另一方面还有物理限制，一位中国台湾存储芯片业者指出，光州和全罗目前的产业结构是石化与钢铁园区，基础设施从零开始布建，光打底就要五年左右，后续洁净室和机台安装还需三到四年，整个制造生态链建起来恐怕超过十年。

有资深产业分析师直言，该计划在李在明任期届满前难以完成，目前宣示意义大于实质。

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