快科技 7 月 15 日消息，美国银行近日发布的全球存储周报显示，SK 海力士至 2028 年实际可新增的存储芯片产能，仅为最初规划水平的六分之一。

美银估算，扣除旧厂因技术升级关闭及制程微缩导致的产能减损后，韩国每年实际净增的运营存储晶圆产能不足 10%，到 2030 年将远不及韩国总统李在明此前高喊的产能翻倍目标。

据存储芯片行业知情人士透露，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需要约五年时间，此后还需三到四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装。完整建立两处厂区的制造生态系统预计耗时超过十年。

这意味着任何新产能的大规模释放在 2028 年之前都难以实现。

6 月 25 日，三星、SK 海力士与美光在加州联邦法院遭遇集体诉讼，被指控利用全球 DRAM 市场寡头地位协同压缩传统 DRAM 产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约 700%。

原告方将苹果对 iPad 和 Mac 的全面提价援引为直接损害案例，并指出三家企业曾于 2000 年代就价格操纵认罪、合计缴纳 7.31 亿美元罚款。

产能严重滞后正让三大巨头在法理上变得更加被动。既然 SK 海力士连原计划六分之一的新增产能都难以兑现，那么所谓产能扩张即将到来的辩护便不攻自破。

投资机构 Jefferies 预计，DRAM 价格实质性放缓最早要到 2028 年。

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