快科技 7 月 15 日消息，Intel 的 18A 工艺日前被指良率提升到了 85%，进展喜人，没想到这代工艺还有隐藏的大招，ASML 今天在财报会议上宣布 18A 工艺还用上了 High NA EUV 光刻机。

High NA EUV 光刻机是相对当前的 EUV 光刻机而言的下一代产品，NA 从 0.33 提升到了 0.55，该数值越大，光刻分辨率越低，公认为 2nm 以下节点不可或缺的核心制造设备，其售价预计达到 4 亿美元，比当前的 EUV 光刻机差不多翻倍。

High NA EUV 光刻机的首个客户确实是 Intel 公司，但 Intel 此前的路线图显示要到下一代的 14A 工艺才会启用 High NA EUV，而 ASML 今天的公告意味着 18A 就开始用了。

根据 ASM 的说法，Intel 使用 18A 工艺制造的 Core Ultra Series 3 处理器上使用了 ASM 的 EXE High NA EUV 技术，位于俄勒冈州的 18A 工艺特定层通过了 High NA EUV 双重认证，发货的良率与 EXE 平台相匹配。

从这点来看，18A 工艺是在部分光刻层上用了 High NA EUV 光刻，不是全部层，这跟台积电当年首次量产 EUV 工艺的做法差不多，一方面是做试验，一方面也是降低曾本，全部使用 High NA EUV 的代价太高。

18A 工艺首次使用了 High NA EUV 工艺，这一里程碑对双方来说都是大有裨益，意味着 High NA EUV 工艺能够走入量产阶段，甚至比计划的时间还要提前。

除了 Intel 之外，SK 海力士、三星也计划在未来一两年增加 High NA EUV 光刻机的采购量，而作为业界第一的台积电只采购了一台用于研究，他们的计划是直到 A12 工艺节点都不需要 High NA EUV 光刻机，可能 A10 及之后工艺才会上，也就是到 1nm 节点以下。

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