快科技 7 月 15 日消息，近期 Citrini 的报告指出，长鑫存储的产能正迎来爆发式增长，然而同一份报告还指出，即便将中国厂商的产能扩张全部计算在内，2030 年全球 DRAM 仍将面临 28.7EB 的供应缺口，几乎等于目前全球 DRAM 总产能。

Citrini 的研究指出，长鑫存储的 DRAM 产能有望新增 60 万至 110 万片晶圆 / 月，总产能达到 95 万至 145 万片晶圆 / 月。

其中 2026 年底前就能实现 35 万片晶圆 / 月的产量，而美光今年预期的产能约为 37.5 万片晶圆 / 月，意味着一家国产存储厂商将在很短时间内追平美光。

但产能扩张赶不上需求膨胀，Citrini 预测 2030 年全球 DRAM 总需求将高达 157.5EB，供应缺口达 28.7EB。

作为参照，今年全球 DRAM 产能仅约 40EB，这一预测涵盖 HBM 和 DRAM，其中通用 DRAM 是主要瓶颈。

具体而言，预计通用 DRAM 市场将出现 25% 的缺口，年供应量 91EB 对应年需求量 120EB，DRAM 均价将维持高位，大概率停留在每 Gb 1.5 至 2.0 美元区间。这与 SK 海力士 CEO 本周早些时候发出的 "2030 年 DRAM 紧缺 " 警告相互印证。

这一估计目前尚未计入物理 AI（如人形机器人和自动驾驶汽车）的需求，分析师 Zephyr 认为即便数据中心和 AI 需求预估偏高，物理 AI 的需求增长也会将其抵消。

需求结构同样不容乐观，研究图表显示，预期消费端需求（即普通用户购买内存条等产品的需求）占比比未满足需求的部分还要小。

对于消费者而言，国产内存产能暴增是好消息，但在 AI 吞噬一切的大趋势下，买内存可能只会越来越贵。

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