2026 年 07 月 17 日 16:13 来源：证券市场周刊 作者：文丨陈永芝 编辑丨吴海珊

6 月底，韩国政府宣布预计将投资约 800 万亿（5,180 亿美元）韩元在韩国西南部建设四座芯片工厂，三星电子、SK 海力士将分别新建两座晶圆厂。 此外，Naver（韩国大型云服务商）等企业还将投入 550 万亿韩元（约 3698 亿美元），计划到 2029 年新增 8.4 吉瓦 AI 数据中心容量；这些投资共同推动韩国在未来几年 AI 投资规模达到 1,350 万亿韩元（8,800 亿美元）。韩国政府计划在五年内将存储产能翻一番，以确保该国在全球的领先地位，同时推动 DRAM 向高带宽内存 ( HBM ) 以及 NAND（非易失性存储芯片）向企业级固态硬盘 ( eSSD ) 的转型，为 AI 数据中心的快速增长增添动力。

我们的计算显示，受强劲的 AI 需求推动，2026 年 DRAM 和 NAND 价格将分别上涨 200% 和 300%，因为晶圆厂的建设需要数年时间，短期内供应 将难以满足需求。 AI 投资料将保持强劲势头，彭博行业研究 ( BI ) 预计，到 2030 年底，全球云服务巨头的总支出将超过 5 万亿美元。

扩张背景下 SK 海力士料将保持

HBM4 领先地位

彭博行业研究预计 SK 海力士今年的年度经营现金流将达到 200 万亿韩元（1300 亿美元），即使该公司进一步上调 45 万亿韩元（300 亿美元）的资本支出指引，其自由现金流仍将保持正值。该公司的投资目标包括 M15X 产能和先进制程的迁移，龙仁第一晶圆厂预计将于 2027 年第一季度竣工，位于韩国清州和美国印第安纳州的封装厂届时也将建成。

三星电子和 SK 海力士的 800 万亿韩元（5180 亿美元）芯片相关资本支出将用于在韩国新建的四座晶圆厂，预计将在 2027 年之后实现产能扩张，这意味着 DRAM 和 NAND 价格保持在高位的市场格局将持续至 2027 年底。SK 海力士今年开始量产 HBM4（预计市场规模达 1000 亿美元），在与台积电在先进封装领域的合作以及获得英伟达合同的助力下，SK 海力士有望进一步巩固其领先地位。

在存储市场超级周期的推动下，SK 海力士的经营和财务状况均有所改善。由于现金流充裕，而且 SK 海力士在美国上市有望降低融资成本，因此新增的晶圆厂投资不太可能对其信用状况构成压力。预计到年底，Ebitda（息税折旧摊销前利润）将增长近四倍，净现金和自由现金流缓冲将在 2026 年达到 1000 亿美元，2027-2028 年间有望超过 1780 亿美元。HBM 和 DRAM 供应紧张预计将导致芯片紧俏态势持续至 2028 年，但由 AI 驱动的转型有望减轻需求波动的影响。尽管在 HBM 领域来自三星电子和美光科技的竞争正在加剧，但高良率、产能扩张、HBM4 量产以及与英伟达更紧密的合作有望维持 SK 海力士的优势。

Kioxia 搭上 NAND 东风

新建晶圆厂料加大市场压力

受 NAND 业务强劲的盈利能力以及数据中心对 eSSD 需求上升推动，Kioxi ( 全球第三大 NAND 厂商）预计到 2027 财年 Ebitda 将激增逾四倍。随着 SK 海力士和三星电子新建的晶圆厂的产能增加，可能会对市场造成压力。不过，产能增长要到 2028 年才会实现，这为 Kioxia 留出建立流动性缓冲的时间。该公司计划于 2027 年春季前在美国上市，此举有望降低融资成本并提高灵活性。2026 年既定销量以及与云服务巨头的合同有助于现金流稳定增长，而受 AI 需求、供应紧张和补库等因素推动的 NAND 价格上涨，将使 eSSD 成为利润的关键驱动力。

AI 基础设施增长以及企业对 SSD 的需求上升将为经营和财务状况提供支撑。随着 AI 工作负载推动存储需求增长，预计 2027 财年 Ebitda 增长逾四倍，充裕的净现金则可为应对市场波动提供缓冲。今年所有产能已签约，该公司正与云服务巨头协商签署多年期供货合同，以防范数据中心投资放缓时可能出现的需求风险 -- 这种情况发生的概率似乎较小。2027 年之后，韩国 NAND 产能扩张可能会对市场造成压力，但 Kioxia 庞大的生产基地、强大的客户网络以及先进的研发能力将巩固其竞争优势。我们的计算显示，2026 年 NAND 价格可能飙升 300%，有助于进一步增强该公司的信用状况。

（本文系彭博行业研究分析师原创供稿。嘉宾观点仅代表个人，不代表本刊立场。）