经济观察报 23小时前
阿斯麦业绩超预期:“这种情况我们很多年未曾遇到过”
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经济观察报记者 郑晨烨

7 月 15 日,全球最大的光刻设备制造商阿斯麦(ASML)发布了 2026 年第二季度业绩报告。

报告显示,该公司当季收入 93.27 亿欧元,同比增长 21.3%;净利润 29.18 亿欧元,同比增长 27.4%,净利润率 31.3%;毛利率 54.0%,高于此前 51% 至 52% 的指引区间。另外,ASML 还将 2026 年全年收入指引上调至 430 亿至 450 亿欧元,这是其年内第二次上调。

ASML 目前是全球唯一能制造 EUV 光刻机(极紫外光刻机)的企业。EUV 光刻机使用波长 13.5 纳米的极紫外光作为光源,是制造 7 纳米及以下先进芯片的必需设备。根据公开信息,目前在售的 EUV 光刻机单台售价超过 2 亿美元。

最近一段时间,芯片行业出现了以多层堆叠为代表的技术方向,目标是在不追逐最先进光刻设备的条件下继续提升芯片性能。围绕这条路线的讨论持续升温,先进制程光刻设备在新的技术方向下还有多重要,是当前半导体行业争论的焦点之一。

在行业讨论先进制程光刻设备能否绕开的时候,ASML 把全年收入预期推到了上市以来的最高水平。ASML 首席财务官罗杰 · 达森(Roger Dassen)在第二季度电话会上表示,客户传递的需求信号非常强劲,EUV 光刻机订单已提前两年开始积累," 这种情况我们很多年未曾遇到过 "。

二季报超预期

根据财报,ASML 的收入由两部分构成。

一部分是光刻系统的销售,包括 EUV 光刻机和 DUV 光刻机(深紫外光刻机)各型号的新机出货以及少量二手设备交易。另一部分是装机管理业务,包括对已售出设备的服务、备件供应和性能升级等。对于 ASML 的客户而言,买入一台光刻机只是开始,只要设备还在晶圆厂中运行,维护、备件和升级的费用就会持续产生,这部分收入的稳定性较高。

2026 年上半年,ASML 总收入 180.93 亿欧元,同比增长 17.2%;净利润 52.36 亿欧元(欧盟国际财务报告准则口径),同比增长 4.1%。其中装机管理业务上半年收入 52.49 亿欧元,同比增长 28.1%,占总收入的比重升至 29%。

第二季度单季,ASML 光刻系统销售额 65.65 亿欧元,装机管理业务收入 27.62 亿欧元,合计收入 93.27 亿欧元;净利润 29.18 亿欧元,每股收益 7.59 欧元。

一位长期跟踪半导体设备的券商分析师向经济观察报记者分析,ASML 第二季度收入与毛利率双双超过指引上沿,装机管理业务是主要贡献,原因是客户在现有晶圆厂中迫切需要扩大产能,性能升级的需求非常强劲。

ASML 上半年销售的光刻系统按终端用途分为逻辑类和存储类。其中逻辑类系统销售额 64.43 亿欧元,存储类系统销售额 64.02 亿欧元,两者体量已基本持平。值得关注的是,作为全球主要存储芯片厂商三星电子和 SK 海力士的所在地,韩国是 ASML 2026 年上半年最大的单一市场,上半年贡献收入 70.86 亿欧元。

ASML 首席执行官克里斯托夫 · 福凯(Christophe Fouquet)在第二季度业绩说明中给出了 2026 年全年的分业务收入指引——与先进逻辑芯片相关的净系统销售额预计同比增长约 25%,与存储芯片相关的净系统销售额预计同比增长约 75%,EUV 设备的净系统销售额预计同比增长约 45%。

也就是说,存储芯片正成为 ASML 各业务板块中收入增速最快的方向。

另外,ASML 相关财报显示,中国大陆客户占其总净销售额的比重在过去几年波动明显:2023 年,中国大陆客户占比为 29.1%;2024 年上升至 36.1%,约合 102 亿欧元;进入 2026 年,ASML 给出的全年指引为占比约 20%。

这种波动的背景是出口管制的逐步收紧:ASML 2025 年年报披露称,根据荷兰、美国及其他适用法律,ASML 出口 EUV 光刻机、特定浸没式 DUV 光刻机及部分其他产品均需取得出口许可证;公开信息显示,2018 年荷兰政府曾批准 ASML 向中国大陆出口一台 EUV 光刻机,但该设备始终未能交付,自 2019 年起 EUV 光刻机对中国大陆的出口许可未再获批;2023 年,荷兰将最先进的浸没式 DUV 光刻机纳入出口许可管理;2024 年,在役设备的维修服务也纳入了许可范围;2025 年,管制进一步扩展到量测和检测设备,ASML 向中国大陆客户销售的设备范围持续收窄。

ASML 首席财务官罗杰 · 达森在第二季度电话会上说,中国大陆的业务增长与整体业务保持一致,主要来自主流逻辑芯片领域的需求,占比约 20%,但基数在变高。

ASML 第二季度按台数出货最多的机型是 KrF 光刻机(氟化氪光刻机),共 35 台。KrF 光刻机使用波长 248 纳米的氟化氪气体作为光源,主要用于成熟制程芯片的制造。

美银分析师迪迪埃 · 谢马马(Didier Scemama)在 6 月份发布的一份研报中认为,中国大陆存储芯片厂商正在建设新的晶圆厂,待厂房建成投产后将产生新的设备采购需求,ASML 来自中国大陆存储客户的收入有望在 2027 年恢复增长。基于这一判断,美银将 ASML 明年来自中国大陆销售额的预测从持平上调为增长 9%。

在收入结构之外,ASML 的产能规划同样受到市场关注。

ASML 的 EUV 光刻机分为两代:当前量产的一代称为 " 低 NA EUV"(NA 即数值孔径,数值孔径为 0.33),下一代称为 " 高 NA EUV"(数值孔径为 0.55),数值孔径越大,分辨率越高。

达森在 ASML 第二季度业绩电话会上介绍,ASML 当前的低 NA EUV 年产能约 65 台,公司计划 2027 年增产约 30%,并正在研究 2028 年继续增产 30% 的可行性;浸没式 DUV 的年产能约 130 台,2027 年和 2028 年同样各计划增产约 30%。

达森说,ASML 2027 年的低 NA EUV 订单已接近全覆盖,2028 年的低 NA EUV 订单也已提前两年开始积累," 这种情况我们很多年未曾遇到过 "。

ASML 正在研究的 2028 年低 NA EUV 产能目标是 110 台,但达森在电话会上表示,公司尚未收到针对这一目标的正式采购订单,之所以启动研究,是因为客户传递的需求信号非常强劲。

前述券商人士告诉经济观察报记者,买方在财报前对 ASML 2027 年 EUV 出货量的预期大约在 90 至 100 台,按增产 30% 推算,ASML 给出的节奏约为 85 台,其实是低于买方预期的。

ASML 的低 NA EUV 光刻机按照推出时间先后分为 D 型、E 型和 F 型三代。三代机型的核心差别在于每小时能处理的晶圆数量,E 型比 D 型更快,F 型又比 E 型更快,每一代的单台售价也随之提高。

达森亦在第二季度电话会上说,D 型是目前在售机型中最早的一代,由于蔡司 SMT 供应的特定光学组件库存即将耗尽,这一型号今年将停止生产,明年起 ASML 只出货 E 型和 F 型。他同时表示,由于新一代机型处理晶圆的速度明显更快,同样增产 30% 的台数,客户实际获得的晶圆产能增长约为 45%。

达森在电话会上还强调,当前的市场环境使 ASML 拥有比过去更大的定价灵活性,公司正在积极落实。他说,过去 ASML 的惯例是只按照设备生产率的提升来定价,套刻精度(上下两层图案的对齐精度)和成像质量方面的改进并不额外收费,但在当前的需求环境下,ASML 正在与客户讨论如何就这部分额外价值获得相应的回报。

曝光越堆越多

在推进现有产品迭代的同时,ASML 的下一代产品也迎来了一个新的节点。

7 月 15 日当天,英特尔宣布其代号 Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 处理器部分产品层采用高 NA EUV 光刻技术进入量产,为业界首次。高 NA EUV 是 EUV 光刻机的下一代产品,其透镜的数值孔径从 0.33 提高到了 0.55,分辨率从 13 纳米提高到了 8 纳米,一次曝光可以替代此前需要三到四次低 NA 曝光才能完成的图案。

福凯在第二季度电话会上评价,这是高 NA EUV 技术走向成本优势 " 迄今最有力的信号 "。

华尔街研究机构伯恩斯坦的分析师大卫 · 戴(David Dai)在 7 月 6 日发布的一篇名为《高 NA 极紫外光刻成本深度剖析:光刻强度上升》的研报中判断,高 NA EUV 更有可能先在存储芯片领域得到采用,原因是存储芯片的裸片面积较小,高 NA EUV 一次曝光就能覆盖整个芯片。

芯片按功能大致分为两类。一类是逻辑芯片,负责计算和处理任务,CPU、GPU 和 AI 加速器都属于这一类。另一类是存储芯片,负责数据的存放和读取,DRAM(动态随机存取存储器,手机、电脑和服务器中用于临时存放运行数据的芯片)和 NAND(一种非易失性存储芯片,用于固态硬盘等长期数据存储)是两种主要类型。

传统上,提升芯片性能的主要办法是把晶体管做得更小,但这条路目前面临的瓶颈越来越明显。于是,近期行业出现了多层堆叠的技术方向,即把芯片电路拆分到纵向堆叠的多层晶圆上,层与层之间用微米级的铜连接点对齐键合,信号纵向穿越而非在平面上绕行。

在 " 多层堆叠 " 的架构下,芯片不必追逐最先进的制程节点,就能在既有节点内提升性能。这条路线降低了对 EUV 光刻机的依赖,但堆叠架构下的每一层晶圆仍然需要单独制造,每一层的制造也都包含完整的光刻工序,只是这些光刻工序可以用 DUV 光刻机完成。

按照镜头与硅片之间是否注入液体,DUV 分为浸没式和干式两种:浸没式 DUV 在镜头与硅片之间注入一层纯水,利用水的折射率提升分辨率,精度更高,主要用于 28 纳米至 7 纳米制程;干式 DUV 没有液体介入,成本更低,用于更成熟的制程。

ASML 是浸没式和干式 DUV 光刻机的主要供应商。

芯片说 ICTIME 首席分析师林美炳在接受经济观察报记者采访时表示,堆叠路线的工艺代价很明确:每多堆叠一层晶圆,就要多做一轮完整的光刻、薄膜沉积(在晶圆表面覆盖一层极薄的材料)和化学机械抛光(将晶圆表面磨到纳米级平整度)流程,设备和材料的用量接近翻倍。他同时表示,堆叠路线对浸没式 DUV 设备的需求不降反升,堆叠的层数越多,浸没式 DUV 需要完成的曝光次数就越多。

最近两年,AI 应用的爆发带动了对高性能存储芯片的需求,供应紧张促使存储厂商大规模扩建晶圆厂。与此同时,存储厂商正从成熟制程向先进制程迁移,新的制程节点需要更多的 EUV 和 DUV 曝光层数。

福凯在 7 月 15 日的 ASML 第二季度业绩电话会上说,随着存储客户向先进制程节点迁移,DRAM 的光刻强度(光刻支出占晶圆厂设备总支出的比重)持续上升,正在快速放量的制程节点采用的 EUV 工艺层数在增多,多重曝光工艺正在被更具成本效益的单次曝光技术替代。

福凯称,DRAM 对 ASML 而言是一场 " 完美风暴 "。

ASML 预计今年存储相关系统销售额增长超过 75%。

多家投行在今年二季度发布的研报中也得出了方向一致的判断。比如,高盛分析师亚历山大 · 杜瓦尔(Alexander Duval)在 5 月底发布的一份研报中认为,以堆叠替代微缩的技术路线意味着更高的光刻强度,尤其是 DUV 强度;伯恩斯坦分析师大卫 · 戴也在前述研报中测算,光刻支出占晶圆厂设备总支出的比重将从 2025 年的约 24% 升至 2028 年的约 26%。

系统集成和国产替代

公开信息显示,一台 EUV 光刻机重约 180 吨,包含超过 10 万个零件、3000 根线缆、4 万颗螺丝和超过 2 公里的软管。

它的光源激光器以双脉冲的方式,每秒击打约 5 万颗直径约 30 微米的锡滴,锡滴被击中后形成温度约 22 万摄氏度(约为太阳表面温度的 30 至 40 倍)的等离子体,等离子体释放出波长 13.5 纳米的极紫外光,再经由一系列反射镜组将光束投射到硅片表面。

制造这样一台设备需要一个庞大的供应商网络。根据 ASML 2025 年年报,该公司共有约 5100 家供应商,其中与产品直接相关的约 900 家,其余为非产品类供应商。普华永道则在一份关于 ASML 供应链的研究报告中指出,一台 EUV 光刻机约 85% 的零部件来自外部供应商,ASML 自产约 15%。

从供应链结构看,ASML 更接近一个系统集成商的角色,产能上限取决于关键供应商的交付能力。而在其 900 家产品供应商中,有两家的地位尤为特殊。

第一家是德国光学企业蔡司 SMT(Carl Zeiss SMT GmbH)。

ASML 在年报中表示,蔡司 SMT 是 ASML 透镜、反射镜、照明器和收集器等全部光学部件的独家供应商,双方签有排他安排," 公司能生产的光刻系统数量受限于关键供应商之一蔡司 SMT 的产能 "。

除了独家供应关系,ASML 还是蔡司 SMT 的股东和债权人。根据 ASML 2016 年 11 月发布的公告,ASML 以 10 亿欧元收购蔡司 SMT 24.9% 的股权,另承诺在六年内提供约 2.2 亿欧元的研发支持和约 5.4 亿欧元的产能投资,主要投向蔡司位于德国奥伯科亨的生产基地。ASML 在相关财报中使用 " 两家公司,一项事业 " 来描述双方的关系,框架协议自 1997 年延续至今。

蔡司 SMT 对 ASML 产能的影响在今年有过具体的体现。比如,达森在第二季度电话会上解释了 ASML 今年上半年浸没式 DUV 出货偏少的原因——蔡司 SMT 按 2025 年时较低的需求预期准备了浸没式光学系统的产能,但实际需求远超预期。

第二家是德国激光企业通快。

根据通快官方信息,该公司是 ASML EUV 光源激光器的独家供应商,新一代激光器包含超过 45 万个零件,重量超过 20 吨。另外,根据 ASML 2025 年 10 月发布的新闻稿,ASML 在当月举行的供应商日活动上向通快颁发了技术类供应商奖,表彰其新一代 EUV 高能激光器实现 " 首光 "。

ASML 战略采购高级副总裁希拉 · 林德斯(Sheila Leenders)在上述新闻稿中表示,ASML 非常期待接收通快的新一代激光器,新激光器将提升 ASML EUV 产品的可用性和功率,同时降低能耗。

蔡司 SMT 掌握光学系统,通快掌握光源系统,两家企业都不可替代。而在其他环节,ASML 正在尽可能地减少外部依赖。比如,根据公告信息,ASML 在过去十余年中先后完成了三桩收购—— 2012 年收购美国光源企业赛默,获得了 EUV 和 DUV 激光光源的自主制造能力;2016 年收购荷兰电子束量测企业汉民微测,补齐了芯片制造过程中检测图案缺陷的环节;2020 年收购德国精密光学组件企业柏林玻璃,后者主要生产光刻机的晶圆台(承载和精确移动硅片的平台)和镜块组件。

ASML 的供应链高度集中在欧洲。而在国内,围绕光刻机及其零部件的国产替代也在推进。

比如,在整机层面,上海微电子长期从事光刻机整机的研发与制造,是国内这一领域的代表性企业。在零部件和配套环节,一批 A 股上市公司也具备了相关的技术积累——茂莱光学(688502.SH)从事深紫外光学器件和物镜镜头的研发,相关产品可应用于光刻机的曝光系统;波长光电(301421.SZ)在深紫外光学镜片、平行光源系统等方向有所布局;美埃科技(688376.SH)则在半导体制造所需的洁净室过滤设备方面具备供应能力。

这些企业的技术方向,覆盖了光刻机的光学、光源和配套等多个环节。通过多层堆叠等工艺路线,芯片厂商或许可以降低对 EUV 设备的依赖,但每一层堆叠的晶圆仍然需要 DUV 来完成曝光,光刻机本身是绕不开的。

在采访过程中记者了解到,对于国内半导体产业而言,最先进的 EUV 光刻机短期内仍是难以逾越的门槛,而 DUV 环节的国产化条件相对较为成熟,在当前的技术方向上也有更大的腾挪空间。另外,在多层堆叠路线推高光刻强度的趋势下,DUV 恰恰也是未来几年需求增速最快的光刻设备类型。

(作者 郑晨烨)

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