台积电接连交出漂亮财报：

第二季度营收 1.27 万亿元新台币（约合人民币 2663 亿元），环比增长 12％，同比增长 36％，税后净利润 7065.6 亿元新台币（约合人民币 1481 亿元），环比增长 23.4％，同比大涨 77.4％，双双创下历史新高，带动每股税后收益 27.25 元新台币（约合人民币 5.7 元）。

预计第三季度营收 446-458 亿美元（约合人民币 3030-3111 亿元），取中位数计算环比增长约 12%，同比增长约 37％，毛利率 65-67％，营业利润率 56-58％，依然维持在历史高位。

同时，台积电宣布将在美国亚利桑那州新增 1000 亿美元（约合人民币 6793 亿元）投资，新建 4 座晶圆厂。

至此，台积电在美累计投资规模将达到 2650 亿美元（约合人民币 1.8 万亿元），未来将拥有多达 12 座晶圆厂，集齐完整的先进工艺、封装、研发能力。

在新工艺方面，台积电同样捷报频传。

台积电高级副总裁 Kevin Zhang 证实，台积电 N2 2nm 级工艺的流片客户数量是前代 N3 3nm 级的多达 4 倍，大量长期合作客户已经将研发资源倾斜到 2nm。

2nm 是台积电首个 GAA 全环绕＋纳米片晶体管的工艺节点，带来的提升是飞跃一般的：

晶体管密度提升约 15％；同等功耗下，性能提升最多 15％；同等频率下，功耗降低最多 30％。

根据台积电公布的能效曲线，N2 2nm 标准版对比 N3E 3nm 增强版，0.75V 电压下性能可提升 15％，功耗可降低 25％，0.55V 电压下性能可提升 26％，功耗可降低 24％。

台积电已于 2025 年第四季度启动 2nm 工艺的大规模量产，半年后已经贡献约 3％的收入，未来将持续攀升。

与此同时，5nm 家族工艺是绝对主力占到 33％，3nm 家族占比也已来到 30％，另外 7nm 11％、16/20nm 6％、40/45nm 6％、65nm 4％。

台积电 2nm 的核心客户和产品包括：AMD Zen6 架构的 EPYC、苹果 iPhone 18 Pro 系列的 A20 Pro、高通的天玑 9600 系列、高通的第六代骁龙 8 至尊版 Pro、谷歌 Pixel 11 系列的 Tensor G6。

它们都将在今年晚些时候陆续发布。

台积电计划打造长生命周期的 2nm 工艺家族，下半年推出高性能版N2P，继续优化性能和功耗，2027 年再推出N2X，2028 年继续增加N2U，具体情况将陆续公开。

继续向前，台积电还披露，A14 1.4nm 级工艺研发进展极为迅速，同期进度远超 N2 2nm，HPC、AI、智能手机客户都表达了强烈的合作意愿。

台积电 CEO 魏哲家亲口证实，A14 工艺研发稳步推进，内部测试样片已经实现接近 90％的目标器件性能，256Mb SRAM 的良率也接近 90％。

今年 4 月，台积电曾披露 A14 艺的器件性能达标率超过 85％，256Mb SRAM 良率超过 80％，而在仅仅三个月后，两项指标分别提升了 5 个、10 个百分点，都接近 90％。

作为对比，台积电 2nm 2023 年 4 月的测试器件性能达标率只有 80％出头，256Mb SRAM 良率还不到 50％，直到整整一年之后才分别超过 90％、80％，后者依旧不够理想。

A14 研发提速，很大程度上得益于台积电 GAA 纳米片晶体管的量产经验积累，A14 上已经是第二代了，可以直接复用 2nm 研发、量产阶段积累的晶体管设计优化、工艺改良与生产制造经验。

A14 预计 2028 年上半年量产。

台积电 A14 是全新升级的一代工艺节点，并非小幅升级的过渡型，无论命名、技术还是推出时间，都直接对标 Intel 14A。

对比 N2 同等功耗下性能可提升 10-15％，同等性能下功耗可降低 25-30％，逻辑晶体管密度提升最多约 23％，芯片密度提升最多约 20％。

除了升级第二代 GAA 全环绕纳米片晶体管，A14 还加入了新的标准单元架构 NanoFlex Pro，可以在设计芯片的时候，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积 ( PPA ) 。

此外还有新的 IP、优化、EDA 设计软件，这些和 N2P 2nm、A16 1.6nm 是不兼容的。

遗憾的是，台积电 A14 首发的时候没有 Super Power Rail ( SPR ) 背部供电网络 ( BSPDN ) ，这一点和自家的 A16、Intel 18A/14A 截然不同，倒是和自己的 N2、N2P 一样。

不过，台积电承诺会在 2029 年推出 A14 工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。

叠加如今疯狂的市场需求形势，涨价是不可避免的，但不止是台积电要涨价，ASML 也要涨价！

台积电在 6 月份已通知各家客户，先进代工工艺将会全面上调价格，注意是全线，从成熟的 7nm 到刚量产的 2nm，无一例外。

7nm 虽然已经相对 " 落后 "，但依然有大量的处理器、加速器、网络芯片和其他高性能芯片在使用，其成本、良率等都非常成熟，涨价后利润空间自然更丰厚。

台积电涨价的幅度目前暂不清楚，据说会根据不同客户、不同工艺节点、不同产品类别而异，幅度一般在 5-10％。

目前，台积电等效 300mm 晶圆每片的收入据说已经接近 6 万元。

只是，台积电也没有绝对的话语权，因为光刻机都要看 ASML 的脸色。

据悉，ASML 正在考虑上调 EUV 光刻机的价格，理由是新一代设备产能更高，能为客户创造更大价值。

阿斯麦长期推行所谓的 "价值定价策略"（value-based pricing），也就是根据新设备的晶圆产出效率、光刻工艺成本、功耗优化等给客户带来的收益，逐步上调报价。

ASML 早期双扫描台的 NXE 系列低 NA EUV 光刻机单价约 1-1.2 亿欧元，工艺更先进的新款则是 1.7 亿欧元起，而最新的高 NA EUV 光刻机更是据说超过了 3.5 亿欧元。

与此同时，低 NA EUV 光刻机的产能正在大幅提升：初代机型每小时晶圆产出 160 – 170 片，套刻精度≤ 1.1nm，而新的 NXE:3800E、NXE:3800F 机型产能提升至 220、260 片 / 小时，套刻精度优化至 0.9nm。

未来，NXE:4200G、NXE:4200H 机型的产能预计可突破 300 片 / 小时，套刻精度进一步优化至 0.8 – 0.7nm 以内。

ASML 声称：" 当下行业环境中，我们的产品为客户创造的价值十分可观，这让我们在定价上拥有比以往更大的灵活空间。我们确实会落地调价动作。"

不过，未来两三年内，ASML 都不可能对存量的低 NA EUV 光刻机涨价，因为 2027 年的产能已基本售罄，2028 年的订单也已大量锁定，所以这次涨价影响的交付设备，大概率集中在 2028 年下半年及之后，比如预计 2029 年投产的 NXE:4200G。

ASML 的这一涨价计划，已经惹怒了头号客户台积电。

要知道，台积电目前拥有全球规模最大的低 NA EUV 光刻机设备集群，而且正在中国台湾、美国、日本同步扩建晶圆厂，还需要继续采购大量的光刻机支撑全球扩张。

哪怕小幅涨价，都会让台积电的资本开支增加数十亿美元，并严重削弱暂缓导入高 NA EUV 光刻机的成本优势，最终抬升芯片制造成本。

更关键的是，一旦接受本次涨价，未来继续采购就必须沿用新的价格基准，利润大量流向 ASML。

台积电在 2030 年之前的先进工艺路线，核心思路就是持续迭代低 NA EUV 光刻机，搭配新型光罩、计算光刻、多重图形工艺，推进技术迭代。

台积电规划至少要到 10A 1nm 级工艺才会引入高 NA EUV 光刻机，如果 ASML 坚持对低 NA EUV 光刻机涨价，必将严重冲击台积电未来数年的技术规划和进步。

台积电之所以迟迟不愿意大规模导入高 NA EUV 光刻机，根本原因就是钱，因为单台设备成本超过 3.5 亿欧元，还需要配套全新光刻胶、光罩、保护膜、量测设备、芯片设计规则与计算光刻流程，台积电还没有完成成熟的全套方案。