7 月 14 日，长鑫科技正式公布科创板 IPO 发行价：8.66 元 / 股，上市估值约 5792 亿元。

明天将正式开始申购。

长鑫科技与长鑫存储本质上是母子公司关系（长鑫科技为集团母公司及上市主体，长鑫存储为其全资控股的核心经营实体）。

由于两者业务高度一体，又常被业界混称。下面统一用长鑫来统称。

长鑫的核心业务高度聚焦于 DRAM（运行内存）芯片领域，采用集设计、制造、封测于一体的 IDM 模式。

其产品涵盖 DDR、LPDDR 及车规级内存，广泛应用于手机、PC、服务器和智能汽车等终端，是目前全球第四大实现规模化量产的 DRAM 领军企业。

朱一明，具有非常资深的半导体从业经验。

朱一明，出生于江苏盐城，高考考入清华大学物理系，获得学士和硕士学位。随后赴美留学，获得纽约州立大学石溪分校电子工程硕士学位。

毕业后，进入美国硅谷的半导体公司工作，从工程师一路做到项目主管，积累了丰富的存储芯片设计经验。

随后，朱一明专注于存储领域先后创建了两家非常知名的存储公司。

2004 年，为实现 " 打造中国版三星 " 的梦想，朱一明在硅谷投资人提供的车库里开始筹备创业，并于 2005 年在中关村创办了兆易创新的前身。

历经十余年，兆易创新成为国内 NOR Flash 和 MCU 芯片的龙头，并于 2016 年成功上市，市值超千亿。

同样在 2016 年，在兆易创新上市的高光时刻，朱一明决定挑战难度极高、长期被美韩垄断的 DRAM（运行内存）领域，在合肥正式创立长鑫科技。

数十年间，一个人翻过两座大山。

那么，长鑫科技到底是一家什么样的公司？

在存储周期的低谷，2023 年，长鑫还在巨亏 163 亿，到 2024 年亏损缩减至 71 亿。

随着存储超级周期的到来，2025 年扭亏为盈，赚约 18.75 亿；到 2026 年一季度，营收达到 508 亿，净利润超 330 亿，净利率高达 65%。

要理解长鑫的业务结构，首先要建立一个朴素的认知：DRAM 就像是电子设备的 " 短期记忆 "。

手机、电脑、平板、车载终端等消费电子都需要 DRAM 来搬运数据。

在过去相当长的时间内，DRAM 供应被三星、SK 海力士和美光三家垄断，合计约占全球 90% 以上的市场份额。

长鑫凭借多年的技术积累，占据第四大市场份额。

目前的业务结构，可以清晰地分为通用型 DRAM（尤其是 DDR5）和专为 AI 算力而生的 HBM。

这两块业务的推进节奏，在一定程度上会影响长鑫在资本市场上的估值逻辑。

先说被称为 " 现金奶牛 " 的 DDR5。DDR5 是第五代双倍数据率同步动态随机存取存储器，名字很长，但只需要记住：它是消费级内存的主流标准，也是长鑫眼下最核心的利润引擎。

根据最新招股书，长鑫的 DDR5 产品在整体 DRAM 营收中的占比已经达到 65%，17nm 工艺的 DDR5 良率突破了 90%。

良率在半导体制造工艺中至关重要。90% 的良率意味着每生产 100 颗芯片，有 90 颗是合格能卖的。

长鑫目前已赶上三星和 SK 海力士在同期制程节点上的良率。在通用 DRAM 市场上，长鑫已经从 " 追赶者 " 正在变成了 " 并跑者 "。

关键的是，在 EUV 光刻机完全买不到的情况下，长鑫凭借 DUV 多重曝光技术，把制程做到了 17 纳米级。

虽然距离三星、海力士的 12 纳米还差大约三年，但 " 造得出、还能量产 "，本身已是从无到有的进步。三星、海力士、美光巨头为了追求更高利润，把 80% 以上的先进产能都挪去生产 HBM，导致通用 DDR5 市场出现了罕见的 " 供给空窗 "。

长鑫正好在这个缝隙里长驱直入，其 DRAM 产品不仅拿下了腾讯数据中心 7 × 24 小时的严苛测试，与腾讯达成 200 亿元的长期供货协议。

而且，长鑫生产的 DRAM 内存芯片被苹果正式开始测试。这意味着长鑫至少已经进入了苹果极其严苛的供应链评估视野。

在上述背景下，2026 年一季度，长鑫科技单季营收飙到 508 亿元，同比暴增 719%，归母净利润高达 247.62 亿元。

一个季度赚回了过去三年亏掉的全部，DDR5 正是这场业绩奇迹的主角。

但是，仅仅生产 DDR5 是不能够在全球存储市场站稳脚跟。为什么？

打个比喻，如果说 DDR5 是存储界的 " 绿皮火车 "，那 HBM 就是 " 高铁 "。

HBM 的是高带宽内存，它是通过 3D 堆叠技术，把多层 DRAM 芯片像盖楼一样垂直叠起来，再用极其微小的硅通孔（TSV）把它们连接在一起。

HBM 能够满足 AI 大模型训练所需的 " 海量数据瞬间吞吐 " 的严苛需求。

客观地说，HBM 是长鑫目前最大的短板，也是市场关注最多的地方。

根据招股书披露，长鑫目前的 HBM 综合良率大约在 25% 左右，已经向部分客户交付 16nm 制程的 HBM3 样品，计划 2026 年量产 HBM3，2027 年推出 HBM3E。

而三星和 SK 海力士已经在量产 HBM3E 甚至冲击 HBM4。

这中间，确实存在 2 到 3 年的差距。

虽然 EUV 光刻机被限制购买，由于部分先进技术路径已经被验证，这会使得追赶者的速度，往往比领跑者更快。

SK 海力士在 HBM 领域也是从落后起步，靠着死磕 TSV 堆叠技术，最终在 HBM3 时代实现了反超三星，拿下英伟达的独家供应，一跃成为全球存储龙头。

而此次上市募资主要用于 DRAM 技术升级、产线技术升级改造和 HBM 高带宽内存等前瞻技术研究。

DRAM 是长鑫的现金来源，因此一部分资金可能用于推进 DRAM 工艺迭代，把 16nm 工艺做深做透，同时向更先进的节点迈进，继续提升性能、降低成本，在消费电子、PC、服务器等各个细分市场扩大渗透率。

2025 年长鑫的产能利用率已经达到 95.73%，接近满产状态，进一步的扩产和效率提升也是当务之急。

长鑫的入局已经渐渐改变 DRAM 市场的竞争格局。2026 年一季度，长鑫的全球市场份额推升至约 8%，其生产颗粒以低于国际品牌 15%-20% 的价格进入市场，直接带动了下游终端产品的价格下行—— 2026 年 3 月，32GB DDR5 套装单周价格降幅达 27%。

这对消费电子厂商及其用户来说是一个好消息。

存储行业是周期性行业。现阶段的高利润，很大程度上来自于 AI 驱动的供需错配——三大巨头转产 HBM 导致常规 DRAM 缺货。

这个窗口不会永远敞开。

一旦三巨头的 HBM 产能释放完毕、重新调整产能分配，或者全球 AI 投资增速放缓，DRAM 价格就有可能回调。