磷化铟作为 800G 及以上高速光模块的核心材料，正随着 AI 算力基础设施的爆发式增长而站上产业风口。今年以来，从衬底厂商到光芯片企业，订单密集落地、价格持续攀升，产业链呈现出供不应求的紧张态势。

近日，国内多家企业的磷化铟相关业务再加速，产业上游龙头企业云南锗业获得最新大额订单；皮革企业兴业科技则通过收购跨界进入磷化铟赛道。

云南锗业签下大额供货协议，龙头地位进一步巩固

7 月 23 日晚间，云南锗业发布公告，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司与客户签订磷化铟晶片供货协议，合同预计总金额区间为 5.7 亿元至 8.55 亿元，占公司 2025 年度经审计营业收入的 53.48% 至 80.23%。该合同将于 2026 年 8 月 1 日至 2027 年 12 月 31 日期间分批交付。

由于交易双方签署了保密协议，客户的具体信息未予披露，但公告指出该客户信誉良好，履约风险可控。此次签约是在双方原有合作基础上的进一步深化，体现了下游客户对云南鑫耀产品品质及稳定批量供货能力的高度认可。

云南锗业是国内磷化铟衬底领域的核心供应商之一。公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的磷化铟晶片已批量生产超过三年，产品规格以 3 至 4 英寸为主，并已向国内外多家知名厂商供货。

今年以来，随着光通信市场景气度逐步提升，下游对磷化铟晶片的需求呈现快速增长态势，产品价格也出现明显上涨。面对旺盛的市场需求，云南锗业于 2026 年 4 月启动 " 高品质磷化铟单晶片建设项目 "，计划建设期为 18 个月。

该项目将在现有 15 万片年产能基础上，扩建一条年产 30 万片高品质磷化铟单晶片生产线，其中包含 6000 片 6 英寸产品，最终使总产能达到年产 45 万片。公司 2026 年计划生产磷化铟晶片 18 万片，产能将随着建设进度逐步释放。

兴业科技跨界收购，皮革企业切入磷化铟衬底赛道

面对需求高增的磷化铟市场，皮革企业兴业科技也在同日宣布，公司通过并购的方式快速切入磷化铟衬底领域。

7 月 23 日，兴业科技及其全资子公司江苏兴光半导体有限公司与青岛立昂晶电半导体科技有限公司签署《磷化铟业务及资产收购协议》，以现金 5500 万元收购青岛立昂的磷化铟衬底制造与销售业务。收购范围涵盖相关机台设备、存货、专利商标及专有技术等知识产权，以及正在履行中的业务合同和客户关系。

兴业科技的主营业务为天然皮革材料的加工与销售，此前并无半导体新材料领域的技术研发、生产运营及市场拓展经验。此次跨界收购，公司意在快速切入化合物半导体新材料赛道，培育全新的业绩增长曲线。

被收购方青岛立昂晶电半导体科技有限公司成立于青岛高新区，注册资本 225 万元，团队已掌握 2 英寸、3 英寸磷化铟衬底生产技术工艺，产品已取得江苏华兴激光科技、全磊光电等客户的认证并实现小批量交付。不过，该业务资产组在过去三年均未能实现盈利，2026 年 1 至 5 月实现收入 234.38 万元，净利润亏损 144.09 万元，在手订单不超过 200 万元。

此外，全球磷化铟衬底市场集中度高，海外头部厂商占据主要份额，行业客户认证周期长、准入门槛高，公司可能面临市场开拓缓慢、产能释放不及预期的风险。目前，江苏兴光已完成项目备案，正在办理环境影响评价及安全条件审查等手续，预计办理时间为 6 至 9 个月。

需求爆发与供给瓶颈并存，磷化铟产业正加速扩产

目前，磷化铟衬底市场正处于供需失衡状态，其根源在于 AI 算力基础设施对高速光模块的指数级需求拉动。在 AI 数据中心普遍采用的 1310nm 和 1550nm 高速光模块中，无论是 EML 激光器还是 CW 激光器，都必须通过在磷化铟衬底上外延生长半导体层来制造。

而单台 AI 服务器对光模块的用量是普通服务器的 10 倍以上，而 1.6T 光模块的衬底需求量较 800G 产品更高。因此，英伟达预测，2026 年至 2030 年，磷化铟晶圆需求将激增约 20 倍。

面对供不应求的局面，在生产端，国内外企业在今年纷纷启动扩产计划。

海外方面，美国 AXT 计划 2026 年底实现磷化铟衬底产能翻倍，2027 年再次翻倍，当前订单积压已超 1 亿美元。Coherent 在美国德州谢尔曼的工厂运行着首条 6 英寸磷化铟生产线，英伟达已向其投资 20 亿美元并签署长期采购协议，其 CEO 表示订单已排至 2028 年。

Lumentum 的晶圆厂产能已全部分配完毕，2028 年的产能已售罄，并推进约 40% 的扩产计划。日本 JX 金属计划到 2030 财年前投资 1200 亿日元，将磷化铟衬底产能较 2025 财年提升 7 至 10 倍。

国内方面，集邦光通信不完全统计，2026 年截至 7 月共有 13 个磷化铟相关项目取得实质性进展，投资金额合计约 170.95 亿元。项目涵盖衬底生产、晶圆产线扩建、外延片材料产业化等方向，大部分项目分布于江西、湖北、云南、江苏、浙江、广东等多个中国省份。

其中，先导微电子在本月宣布将浙江衢州落地总投资达 20 亿元的高端化合物半导体衬底项目，规划形成年产 300 万片磷化铟衬底产能，建设周期为 2026 年 8 月至 2029 年 8 月。

然而，扩产并非一蹴而就。磷化铟晶体生长需要在高温高压条件下进行，且核心设备的交付周期长达 6 至 9 个月。此外，衬底厂商到下游芯片厂的认证周期通常需要数月至一年以上，新增产能难以在短期内转化为有效供给。

因此，尽管扩产计划密集出台，磷化铟衬底的供需紧张格局预计在未来的一段时间内仍将存在。

来源：集邦光通信

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