近期，全球晶圆代工领域多起重要事件集中发生，2nm 及以下先进制程的商业化进程正在加速推进。

7 月 13 日，台积电 2nm 制程在新竹与高雄两地同步量产；7 月 23 日，AMD 在年度 Advancing AI 大会上发布采用 2nm 工艺的第六代 EPYC 服务器 CPU 和 Instinct MI455X AI 加速器；7 月 25 日，三星电子与博通签署谅解备忘录，宣布将在未来五年扩大在存储、晶圆代工与先进封装领域的合作。

人工智能浪潮带动全球算力需求持续攀升，高性能芯片成为数字基础设施的核心组成部分。在此背景下，2nm 及以下先进制程已不仅是技术节点的迭代，更涉及良率爬坡、规模量产、客户导入与供应链协同等多重维度的竞争。

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竞速量产：先进制程四强战报与技术进展

当前全球先进制程版图呈现出台积电、英特尔、三星、Rapidus 四家主要参与者的竞合格局，各家在技术路线与量产节奏上各有侧重。

△先进制程四强（2nm/1.4nm）关键量产节点路线

# 台积电 的 2nm 节点于 2025 年底进入量产阶段，2026 年以来产能持续提升。据公开信息，台积电目前在新竹、高雄等地共有五座 2nm 工厂同步扩充产能。2026 年第二季度，2nm 制程贡献了约 3% 的晶圆收入，并维持了超高良率。7 月 13 日，2nm 制程在新竹与高雄两地正式全面量产。

从客户结构来看，过去十多年苹果通常是台积电最先进制程的首发客户，从 20nm 的 A8 到 3nm 的 A17 Pro 均延续这一模式，而此次 2nm 节点的客户格局出现了一定变化。

7 月 23 日，AMD 在年度 Advancing AI 大会上率先发布第六代 EPYC 9006 系列服务器 CPU（代号 Venice）和 Instinct MI455X AI 加速器，均采用台积电 2nm 工艺。AMD 方面表示，相关解决方案已进入量产阶段，预计第三季度底开始出货。其中 EPYC Venice 基于 Zen 6 架构与台积电 2nm 制程，拥有最多 256 个 CPU 核心、512 个线程；MI455X 整合约 3200 亿颗晶体管及 432GB HBM4，采用 2nm 与 3nm 混合制程。

苹果虽未在此次 2nm 节点上取得首发，但据供应链信息，苹果仍锁定较大部分首批 2nm 产能，用于生产 A20 Pro 芯片，该芯片将搭载于 iPhone 18 Pro 系列，预计 9 月发布。另据媒体报道，谷歌也将成为台积电 2nm 手机芯片的客户之一，搭载 Tensor G6 芯片的 Pixel 11 系列定于 8 月 12 日发布。

此外，台积电的 1.4nm（A14）制程预计 2027 年第三季度风险试产，2028 年进入规模量产阶段，相较 2nm 可在同等功耗下提升性能 10% – 15% 或在同频下降低功耗 25% – 30%。更远的 1nm 及搭载超级电源轨的 A12 工艺也已规划于 2029 年投产。技术路线上，台积电 2nm 是其首个采用全环绕栅极纳米片晶体管技术的制程节点，同时公司持续推进背面供电技术与 High-NA EUV 的研发导入。

# 英特尔 方面，业界透露其 18A 节点良率正快速提升，目前 18A 已在部分产品中实现量产。英特尔与 Cadence 的合作也在推进中，双方将 AI 工具集成至芯片设计流程，以加速 18A 及 14A 芯片开发。14A 节点原计划 2028 年风险试产、2029 年规模量产，最新消息显示，英特尔计划于 2027 年下半年在公司内部产品上率先开启风险试产，2028 年全面启动大规模量产（HVM），较此前规划有所提前。

# 三星 的 2nm 节点良率据媒体报道已从 20% 区间提升至 50% 中段，计划 2026 年底试产、2027 年于美国泰勒工厂进入规模量产阶段。7 月 25 日，三星电子宣布与博通签署谅解备忘录，双方计划在未来五年（至 2030 年）扩大合作，合作规模预计超过 2000 亿美元。根据协议内容，三星将利用其 2nm 及以下先进制程工艺为博通的 AI 芯片、高速通信芯片提供代工服务；双方还将基于三星 HBM 技术开发博通下一代 AI 加速器，涵盖 HBM4、HBM4E 及后续产品；同时合作开发 2.3D/2.5D 先进封装技术。

另据媒体报道，三星的 1.4nm 有望在 2029 年量产，改良版 SF1.4+ 则预计 2030 年推出。技术上，三星基于 GAA 架构并借助 DTCO 优化功耗与性能，并布局 1nm Forksheet 架构研发。

#Rapidus 作为日本政府支持的新兴代工企业，计划于 2027 财年下半年（约 2027 年 10 月）启动 2nm 规模量产，初始月产能为 6000 片，2028 年计划扩充至 2.5 万片。

目前 Rapidus 已完成 2nm GAA 晶体管原型验证，并与佳能合作研发 2nm 图像处理芯片，同时正在与多家海外客户接洽。其 1.4nm 节点计划于 2026 年内启动全面开发，目标 2029 年实现量产。Rapidus 主打 " 单片处理 " 模式以缩短交付周期，但初期良率爬坡及大规模商业化量产经验的缺乏仍是其需要面对的挑战。

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先进制程博弈焦点：良率、设备与生态的三重角力

进入 2nm 及以下节点后，制程竞赛已从线宽微缩延伸至多维度的系统级竞争。其中，良率与商业兑现能力、下一代设备与技术路线、先进封装生态与客户绑定，成为当前产业竞争最为关键的三个维度。

良率水平直接影响代工成本与客户利润空间。台积电在 2nm 良率方面维持较高水平，在定价与产能分配上拥有较大主动权；英特尔 18A 良率提升后，在外部代工市场的竞争力有所增强；三星与 Rapidus 则仍需在后续量产过程中进一步验证其良率稳定性。

设备与技术路线方面，GAA 架构已成为 2nm 节点的主流技术选择——台积电 2nm 是其首个采用 GAA 技术的节点，英特尔率先在量产中导入 High-NA EUV，背面供电与 DTCO 等技术亦成为能效优化的关键变量。

先进封装生态方面，AI 芯片对异构集成的需求持续上升，封装技术（如 EMIB-T、CoWoS、2.3D/2.5D 集成）在客户订单争夺中的权重日益增加。

从当前竞争格局来看，台积电在全球晶圆代工市场占据主导地位。据 TrendForce 集邦咨询数据，2026 年第一季度全球前十大晶圆代工厂合计营收达 479.5 亿美元，环比增长 3.7%，再创单季新高。其中台积电受惠于 AI 服务器 GPU/xPU 出货需求持续强劲，营收季增 6.3% 至 358.6 亿美元，市占率从上一季的 70.4% 进一步攀升至 72.3%；三星晶圆代工（排除系统半导体）虽接获部分电视、PC/NB 供应链提前备货订单，但动能与智能手机淡季效应大致相抵，营收季减 5.8% 至 32 亿美元，市占率降至 6.5%，排行维持第二名。

在台积电之外，各家厂商依据自身技术禀赋与资源条件，选择了差异化的竞争路径。英特尔以 18A 制程和 High-NA EUV 先发导入为依托，力图在外部代工市场建立存在感；三星凭借 " 晶圆代工＋存储器 " 垂直整合能力，探索一体化 AI 芯片制造平台方向；Rapidus 则以 " 单片处理 " 模式和差异化定价切入市场，获得日本政府与产业界支持。

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先进制程未来走向：节点窗口、AI 赋能与代工模式转型

展望未来，业界认为，2nm 及以下先进制程的竞争预计将沿着三个主要方向演进。

节点决战窗口集中于 2027 至 2029 年。2nm 的商业化进程已在 2026 年下半年加速，1.4nm 节点的竞争则预计在 2028 至 2029 年集中展开：台积电 A14 预计 2028 年规模量产，英特尔 14A 计划 2029 年量产，三星 SF1.4 调整至 2029 年，Rapidus 亦将 1.4nm 量产目标定于 2029 年。

AI 工具在代工全流程中的渗透正在加深，" 设计 - 制造协同 " 逐步成为行业趋势。代工服务不再局限于制造环节，AI 技术正被引入设计与工艺优化流程。英特尔与 Cadence 已在 AI 辅助芯片设计方面展开合作；三星从设计初期即参与客户协同开发，涵盖架构优化、制程调校、封装整合等环节。DTCO 作为连接设计与工艺的协同优化方法，被认为是在制程微缩趋近极限时提升性能的重要路径之一。

竞争形态正在从 " 纯晶圆制造 " 向 " 系统级代工 " 转变。随着制程微缩的成本与难度持续上升，先进封装在芯片整体性能提升中的权重不断提高。台积电在 CoWoS 等封装技术上持续投入；英特尔 EMIB-T 封装良率据称为 98%；三星则通过与博通的合作，在 " 存储 + 代工 + 封装 " 多个环节同步推进，探索一体化解决方案的落地路径。

在此背景下，厂商之间的竞争正在演变为 " 先进制造 + 先进封装 +EDA 生态 " 的综合能力比较。不同厂商的资源禀赋决定了各自的路径选择：台积电以纯晶圆代工模式为核心，向封装等环节延伸；三星则凭借存储与代工的双重布局，在供应链整合方面呈现差异化的竞争窗口。

2nm 及以下的先进制程竞争，是当前半导体产业中资金投入最密集、技术复杂度最高的领域之一。在 AI 算力需求持续增长的背景下，四家企业的竞合格局及其演变，不仅关乎各自市场地位的消长，更将深度影响全球数字基础设施的技术走向与供应链格局。这场竞逐的最终轮廓，尚待时间揭晓。

# 晶圆代工 # 先进制程 # 半导体 #AI