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2012 年 2 月，东京地方法院的一纸破产保护令，为日本 DRAM 产业递上一张死亡通知书。

尔必达，这家承载着日立与 NEC 两家半导体衣钵的存储器巨头，在耗尽最后一丝现金流后轰然倒下。六个月后，它以区区 20 亿美元的价格被美光收入囊中，这笔钱甚至还不到三星电子一个季度的净利润。

彼时没有人会想到，十二年后，一家来自中国合肥、起步于奇梦达废墟上的公司，会以几乎相同的方式，向这些曾将尔必达碾碎的垄断者们发起正面冲击。

2026 年 7 月 27 日，这一天注定被写进 A 股史册。

国产 DRAM 龙头长鑫科技登陆科创板，开盘即报 49.5 元，较发行价 8.66 元暴涨 471.59%。截至收盘，总市值突破 3.31 万亿元，将工商银行拉下马，加冕 A 股新市值王。全天成交额 1411.9 亿元，创下个股单日成交的历史天量。

市场的狂热并非毫无逻辑。

2026 年一季度，长鑫科技的全球 DRAM 市场份额站上 8%。这个数字放在三星（38%）、SK 海力士（29%）、美光（22%）面前仍显微小，但它是二十年来第一次有非韩、非美企业将 DRAM 铁幕撕开了一道缝隙。

而这道缝隙，恰好是长鑫用对手最擅长的 " 逆周期 " 武器劈开的。

尔必达的墓志铭

要理解长鑫的胜利，先要回到一场二十年前的战争。

1999 年，为应对全球 DRAM 市场的激烈竞争，日本政府主导将日立和 NEC 的 DRAM 业务合并，成立了尔必达。2003 年，三菱电机的 DRAM 业务也并入其中。

尔必达的诞生，本身就是日本政府拯救本国 DRAM 产业的一次 " 国家意志 " 的体现，被视作日本半导体产业最后的 " 堡垒 " 和 " 准国家队 "。

但最后尔必达还是在 2012 年被美光科技收入囊中，昔日的日本半导体 " 希望 "，彻底沦为美光全球版图的一部分。

曾任日本精密加工研究所所长、在日立、尔必达一线从事半导体研发 16 年的汤之上隆，为此专门写了一本《失去的制造业》。

从汤之上隆的视角看尔必达的溃败，三星作为外部客观因素反而不是主要元凶，自身的傲慢、对市场风向的愚钝感知以及组织观的撕裂才是真正的罪魁祸首。

汤之上隆在书中用良率的案例，详细记录了尔必达是如何被三星在成本控制上碾压的，而过分追求良率的内因正是上述三个祸首的集中体现。

2005 年，汤之上隆做客尔必达时发现了一个令人震惊的事实：当时最尖端的 512M DRAM 颗粒，尔必达的良率高达 98%，而三星只有 83%。

基于这个数据，各路分析师纷纷得出结论，尔必达的技术水平远胜三星。

但汤之上隆算了一笔不一样的账。

三星生产的 512M DRAM 芯片面积是 70 平方毫米，尔必达则是 91 平方毫米。这意味着，从一片 30 厘米的晶圆中，三星能切割出约 830 枚芯片，而良率高达 98% 的尔必达只能切出 700 枚左右。

更致命的是，为了追求 98% 的良率，尔必达的制造设备吞吐量只有三星的一半，也就是说生产同样数量的芯片，尔必达的设备成本比三星多了一倍。

良率从 60% 提高到 80% 相对容易，但从 80% 提高到 95% 则要付出极高的代价。尔必达沉迷于把良率推到极致，却忽视了单位成本才是决定生死的指标。

最终，技术水平更高的尔必达利润率只有 3%，而三星电子高达 30%。

汤之上隆由此总结了一句足以刻在 DRAM 行业教科书上的话：只要单个 DRAM 的成本增加，100% 的良率也没有意义。

三星的哲学与尔必达截然相反。

对于已经量产的 DRAM，三星不刻意追求极致良率，而是专注于面积更小、成本更低的下一代产品研发。

同时，三星采取多代产品同时研发的策略，A 团队研发 100nm 的同时，B 到 E 四支团队分别攻坚 95nm、90nm、85nm 和 80nm。

哪个团队先突破集成技术，就进入量产阶段，其他团队则转向更下一代工艺。这种并行研发、快速迭代的节奏，让三星始终保持着技术代际的领先身位。

更关键的是，三星信奉逆周期投资。行业低谷时别人减产我扩产，别人收缩我扩张。用资本耐力换取市场份额，用规模效应碾压竞争对手。

正是在一轮又一轮的行业寒冬中，三星用逆周期扩张耗死了尔必达，登上了 DRAM 王座。

尔必达的溃败揭示了 DRAM 产业的残酷法则。这不是一场技术精度竞赛，而是一场成本与规模的死亡竞速。而三星正是深谙此道的玩家。

二十年后的今天，长鑫科技几乎复刻了这套打法。只不过这一次，被逆周期碾压的对象，变成了三星自己。

从奇梦达到全球第四：长鑫做对了什么

长鑫的故事始于一场 " 捡筹码 " 的赌局。

2016 年，长鑫科技的前身在合肥注册成立。彼时全球 DRAM 市场已被三星、SK 海力士和美光垄断超过二十年，三者合计占据全球 90% 以上的市场份额。中国每年存储芯片进口近 600 亿美元，国产化率几乎为零。

摆在长鑫面前的第一道坎是专利壁垒。三星、海力士等企业构筑的专利墙，足以让任何新进入者寸步难行。

长鑫的破局之道颇为巧妙，它从倒闭的德国 DRAM 巨头奇梦达的废墟上捡起了筹码。奇梦达曾是全球第二大 DRAM 供应商，2009 年因金融海啸和 DRAM 价格暴跌而破产。

2019 年，长鑫通过与加拿大 Polaris Innovations 签署协议，获得了奇梦达遗留的约 7000 项 DRAM 专利许可，以及一千多万份、约 2.8TB 的全套 DRAM 技术文档。这笔交易的核心目的不是直接获取技术，而是为后续研发争取法律空间。

与此同时，长鑫同步吸纳了奇梦达昔日的技术人才，包括曾在西门子、英飞凌和奇梦达担任技术与前期开发副总裁 24 年的 Karl-Heinz Kuesters。一批曾在海力士、美光、台积电任职的海外华人工程师也被陆续召回，组成了长鑫最早的技术班底。

2019 年 9 月，长鑫推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，完成了国产 DRAM 从零到一的突破。

量产是起点，但与国际巨头的代际落差才是真正的考验，长鑫选择了一条冒险的路——跳代研发。

2019 年量产 19nm 后，工艺路线跳过 18nm，直接攻坚 17nm；产品上则跳过 DDR4 的长期渐进迭代节奏，迅速将重心转向 DDR5 和 LPDDR5。这种策略以资本与市场的巨大投入为代价，换取追赶的时间窗口。长鑫创始团队在 2019 年曾透露，成立以来已花费 25 亿美元用于研发和资本支出。

这种打法的精神内核与三星的并行研发、快速迭代如出一辙。

虽然具体操作形式不同（三星是多代产品并行研发，长鑫是跳跃式攻克更先进工艺节点），但核心逻辑是一致的：用多线并进代替线性追赶，用资本投入换取时间窗口。

此后，长鑫逐步从第一代工艺平台推进到第四代工艺平台，产品从 DDR4 和 LPDDR4X 发展到 DDR5、LPDDR5 和 LPDDR5X。目前 DDR5 芯片速率已达 8000Mbps、LPDDR5/5X 最高可达 10667Mbps。

如果说跳代研发是长鑫追赶速度的策略，那么良率的爬坡则是它把技术转化为竞争力的核心能力，而这也恰恰是当年尔必达跌倒的地方。

据行业报道，长鑫 DDR5 芯片量产之初良率仅约 50%，经过持续的工艺优化逐步提升。到 2025 年下半年，其 17nm 工艺 DDR5 良率已突破 90%。而其 DDR4 芯片的良率更早已稳定在 90% 左右。

与尔必达不同的是，长鑫没有为了追求极致良率而牺牲设备吞吐量和单位成本。它用 IDM（研发设计制造一体化）模式实现了工艺开发与芯片设计的深度协同，在迭代速度、良率爬升和性能调优上获得了系统性的效率优势。

良率的快速提升直接转化为单位成本的下降，这是 DRAM 行业最核心的竞争力。长鑫的综合毛利率已从 2023 年的 -1.93% 提升至 2025 年的 40.99%，接近三星、美光等海外厂商水平。

在 DRAM 这个以成本为生死线的行业里，良率到了 90% 已经足够。长鑫没有重蹈尔必达的覆辙，把良率从 90% 推到 98% 所付出的代价，远大于那 8 个百分点带来的收益。

这正是三星成本纪律的核心要义：DRAM 竞争的实质是单位成本的竞争，而非良率的数字游戏。

如果说 " 跳代研发 " 和良率爬坡是长鑫在技术端的追赶，那么 2023 年的逆势扩产则是它在战略层面对三星逆周期打法的正面复刻。

2023 年，全球存储行业遭遇十五年最冷寒冬。DRAM 价格暴跌超过 40%，价格低点较 2022 年上半年高点下降 50% 左右。三星、SK 海力士、美光被迫宣布减产和缩减资本支出。行业共识是：新进入者在这种环境下 " 必死无疑 "。

长鑫却做出了一个惊人决策——逆势扩产。

在归母净亏损 163.40 亿元的情况下，年度研发支出高达 46.7 亿元，12 英寸晶圆月产能从 9 万片提升至 15 万片。同时依靠激进的价格策略切入客户供应链，产品报价一度仅为海外竞品的一半。

逆势扩产叠加降价策略，虽然在短期内导致库存高企、账面亏损严重，却在巨头减产期硬生生撕下了市场份额。

这场豪赌与三星当年打败尔必达的逻辑如出一辙。汤之上隆在书中写道，三星正是通过一轮又一轮的逆周期投资，行业低谷时别人减产我扩产，别人收缩我扩张，用资本耐力换取市场份额，用规模效应碾压竞争对手。

支撑这场豪赌的，是长鑫身后的一批耐心资本，合肥国资、国家大基金二期先后入局，阿里云、腾讯、联想、小米等产业资本相继跟进。2023 年下半年，当 DRAM 价格腰斩、市场化投资机构望而却步时，正是这批长期资本让长鑫扛过了最艰难的时刻。

长鑫的逆周期豪赌在 2025 年迎来了回报。

2025 年，AI 浪潮爆发，存储芯片需求结构彻底改变。

三星、SK 海力士和美光将主要产能和研发资源大幅转向利润更高的 HBM（高带宽内存）和服务器 DRAM，主动 " 让出 " 了部分消费电子和传统 DRAM 市场。长鑫此前逆势建成的产能恰好卡住了这一结构性缺口。

根据 Counterpoint Research 数据，长鑫全球 DRAM 市场份额从 2025 年一季度的 3% 持续攀升至 2026 年一季度的 8%。Omdia 的数据则显示其份额从 2025 年四季度的 4.7% 跃升至 2026 年一季度的 7.6%。

同期，三星、SK 海力士和美光的市场份额分别约为 38%、29% 和 22%。

市场份额的跃升直接转化为财务数据的爆发。

2023 年至 2025 年，长鑫营收从 90.87 亿元飙升至 617.99 亿元，归母净利润从亏损 163.40 亿元转为盈利 18.75 亿元。2026 年一季度，单季营收达 508 亿元，归母净利润 247.62 亿元。

一个季度赚的钱，几乎抹平了过去数年的累计亏损。公司预计 2026 年上半年营收 1100 亿至 1200 亿元，归母净利润 500 亿至 570 亿元。

产品结构也在同步改善。2025 年 LPDDR 系列贡献了约 66% 的营收，DDR 系列占比约 32%。

目前长鑫 LPDDR 产品在中国安卓品牌手机（不含华为）中的采用比例已突破 30%，终端客户覆盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等头部厂商。

尾声

长鑫的故事是一个关于逆周期的经典案例，但站在 8% 市场份额的节点上，真正的挑战或许才刚刚开始。

更棘手的关口来自 HBM。

AI 浪潮催生了存储芯片内部的结构性分化，HBM（高带宽内存）成了最肥美的利润来源，而这块市场几乎被 SK 海力士和三星瓜分。

长鑫超过 98% 的收入仍来自传统 DRAM，即用于服务器和智能手机的大宗商品级芯片。

据行业消息，长鑫在技术上已具备 HBM3 量产能力，但良率仅为 25%-35%，距离商业化门槛尚有距离。追赶已经在路上，长鑫规划 2027 年量产 HBM3E。但到那时，对手或许已迈入下一代。

制程代差是另一道绕不开的硬伤。

海力士第六代 10 纳米级 DDR5 已全面量产，而长鑫主力仍是 17nm（G4）。TechInsights 拆解显示，长鑫的位密度约 0.239Gb/mm ²，仍落后于国际一线水平。技术代差的缩小需要时间，而 DRAM 行业的迭代从不等人。

更隐性的威胁来自巨头的反击。

三星、SK 海力士等已在扩大产能，业界预计新产能将于 2027 年开始逐步释放。过去两年，三大巨头将主要产能转向 HBM，无意中给长鑫让出了传统 DRAM 市场的空间。

但这个窗口不会永远敞开。一旦它们完成 HBM 产能布局后重返传统 DRAM 市场，价格战将不可避免。届时，长鑫将直面一场它从未经历过的正面绞杀。

但长鑫手中也握有筹码。本次 IPO 募资净额中，75 亿元投入存储器晶圆制造量产线升级，130 亿元投向 DRAM 存储器技术升级，90 亿元布局前瞻技术研发。SemiAnalysis 预计，到 2026 年底长鑫月产能将达到约 35 万片。

从奇梦达的废墟上捡起第一块筹码，到科创板市值突破 3 万亿；从 2019 年第一颗 DDR4 的量产，到 2026 年一季度 8% 的全球份额。长鑫用十年时间完成了一场 " 逆周期 " 的经典战役。

但这场仗之所以能赢，恰恰可以从尔必达身上找到全部答案。

汤之上隆在书中为尔必达写下的 " 尸检报告 "：不是死于某个单一失误，而是死于一整套系统的溃败。

技术层面，尔必达的工程师们把 512M DRAM 的良率做到了 98%，而三星只有 83%。但三星的芯片面积小了 21 平方毫米，设备吞吐量是尔必达的两倍。结果是，良率输了的三星，单位成本只有尔必达的一半。

组织层面，尔必达由日立和 NEC 的 DRAM 业务合并而成，但两家母公司的技术文化从未真正融合。

战略层面，三星设有 230 人的市场调研团队，深入客户一线了解需求；尔必达的工程师则沉迷于实验室里的技术指标，对市场冷暖变化视而不见。2008 年金融危机后，PC 市场萎缩、智能手机崛起，需求结构剧变，尔必达反应迟缓，三星早已提前布局。

三块短板，指向同一个病灶：尔必达把 " 技术精度竞赛 " 当成了目的本身，却忘了 DRAM 行业本质上是一场成本、组织与市场的综合战争。

长鑫没有走这条路。它从奇梦达的废墟上捡起专利和技术，从海力士、美光、台积电召回海外华人工程师，用一套统一的技术路线和成本纪律把所有力量拧成了一股绳，它瞄准的是中国安卓手机、服务器、云计算厂商这些看得见摸得着的客户。

长鑫读懂了尔必达墓碑上刻着的一句话：在 DRAM 这个行业，单一维度的领先毫无意义。