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AI彻底改写存储周期,消费电子将迎来长期高价?
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存储行业延续数十年的周期性涨跌逻辑,正在被 AI 算力革命彻底颠覆。

3D Center 报告指出,德国多种 DDR5 台式机内存套装的平均价格较 2025 年 7 月水平上涨 448%,比今年 1 月和 2 月的高点 440% 再次上涨,环比上涨了 7.1%。

此轮涨价早已脱离传统消费电子供需波动的范畴。

DRAM 行业曾经有着清晰的三年周期:需求回暖催生产能扩张,最终供给过剩引发降价,行情起伏长期受制于手机与 PC 换机浪潮。

如今这套成熟的周期框架正在被打破,存储巨头持续将晶圆产能投向 AI 算力所需的 HBM 赛道,通用消费级 DRAM 供给持续收紧,内存市场迈入高价新常态。

DDR5 价格持续冲高,消费级市场收缩

3D Center 的监测数据覆盖德国线下正规零售商全规格 DDR5 内存产品,剔除电商散户、二手交易等干扰项,具备极强的全球零售市场参考性。

数据显示,相较于 2025 年 7 月设定的基准水平,当前 20 款主流 DDR5 内存产品的平均价格已上涨 340%,即消费者需支付原价 4.4 倍才能购得相同规格产品。以一套 2x32GB DDR5-5600 内存模组为例,其售价已由去年 12 月的 530 欧元升至今年 1 月的 677 欧元,单月上涨 147 欧元,甚至超过了 2025 年 7 月整套产品的原始价格(140 欧元)。

其中,2x16GB DDR5-6000 CL28 和 2x16GB DDR5-7200+ 配置受影响最大,价格环比上涨近 16-17%。此外,还有几款 DDR5 套装的价格突然上涨了 2-14%。

摩根士丹利分析师 Joseph Moore 日前警告,数据中心建设造成的内存短缺问题仍在持续恶化,市场供应压力暂无缓解迹象。第三季度内存产品价格较第二季度已上涨至少 25%,高于摩根士丹利及第三方机构此前预测。

涨价浪潮并非局限于台式机 DDR5 内存,市场研究机构 TrendForce 发布最新报告,预估 2026 年第二季度一般型 DRAM 内存合约价将环比上涨 58% 至 63%,而 NAND 闪存合约价则将上涨 70% 至 75%。

根据 TrendForce 集邦咨询最新研究显示,由于成熟制程 DRAM 供给结构性紧缩,迫使 Consumer DRAM ( 消费(883434)级内存 ) 需求方采用旧世代产品以取得较多的 DRAM 供应配额,带动近期产业出现新一波旧世代 Consumer DRAM 颗粒采购需求。

IT 之家从研报获悉,包括 DDR2、DDR3 等世代的 Consumer DRAM 颗粒合约价将延续 2026 年第一季的上涨动能,预估 DDR2 第二季度合约价涨幅将达约 55-60%,第三季度预估将进一步上涨 35-40%。

终端市场已经出现明显反噬现象,高盛在最新研报中进一步下调全球个人电脑(PC)市场预测,全球 PC 出货量将由 2025 年的 2.97 亿台降至 2026 年的 2.55 亿台,2027 年进一步降至 2.43 亿台,2028 年仅略微回升至 2.44 亿台,对应增速分别为 -14%、-5% 和 0%。

报告还指出,存储器和中央处理成本上涨、前期提前备货透支需求,以及 Windows 10 停止支持带来的企业换机红利消退,共同压制行业总量。但 AI PC 和游戏 PC 正在加速渗透,并通过更高配置和售价推动行业结构升级。

高盛预计,全球 AI PC 出货量将由 2025 年的 1.08 亿台增至 2026 年的 1.50 亿台,同比增长 39%;2027 年和 2028 年进一步升至 1.75 亿台和 1.99 亿台,增速分别为 17% 和 14%。

AI 算力虹吸晶圆,消费电子沦为次级需求

此轮存储超级周期的核心底层逻辑并非消费电子需求爆发,而是全球存储产能优先级的彻底重构。AI 算力基础设施的爆发式增长,让消费电子逐渐失去了存储产能分配的主导地位。

根据 Counterpoint Research,全球 DRAM 内存市场规模在 2026 年第一季度达到 970 亿美元,距千亿美元大关仅一步之遥,环比激增 80%、同比增长高达 260%。

全球 DRAM 市场高度集中,三星、SK 海力士、美光三大巨头掌控绝大部分产能,其产能布局与产品策略,直接决定了全球存储供给格局。

据财闻海外资讯,2026 年一季度全球 DRAM 市场中,三星电子以 38% 营收份额登顶,SK 海力士以 29% 居次,美光占 22% 位列第三,三星较 SK 海力士领先差距扩大至 9 个百分点,已连续两季度居首。

随着 AI 大模型和智能算力产业高速发展,AI 服务器对存储的需求量级实现指数级增长。

Gartner 表示,单台 AI 服务器的 DRAM 用量是传统服务器的 8-10 倍,NAND 闪存用量更是达到 3 倍以上,每一台新增 AI 服务器都在以几何级数消耗存储产能。

而据其预测,2026 年全球 AI 服务器出货量将达到 150 万台,同比增长 180%,增速远超传统服务器市场,AI 服务器正成为存储需求增长的核心引擎。

同时,根据 Counterpoint 数据,服务器与 HBM 占比持续扩张,预计合计占比在 2026 年 Q4 接近 70%,而移动、PC 等消费电子占比持续萎缩,供需紧平衡下消费电子端将面临供给短缺与涨价压力。

2023-2026E 全球存储需求结构数据来源:Counterpoint

其中,HBM 赛道的产能紧张态势更为突出,据 SEMI 中国数据,2026 年 HBM 市场规模预计增长 58% 至 546 亿美元,占 DRAM 市场近四成;即便海外三大原厂已将 70% 的新增 / 可调配产能向 HBM 倾斜,HBM 产能缺口仍高达 50%-60%。

为抢占 AI 算力红利,三星、SK 海力士、美光将大部分先进晶圆产能倾斜至 HBM 和企业级服务器内存,同时缩减 DDR4、DDR5 消费级内存投片量。

行业数据显示,HBM 生产目前消耗全球 DRAM 晶圆总产能的约 23%。SK 海力士自 2025 年 9 月启动 HBM4 量产,订单已覆盖未来数年,2026 年全线产品(DRAM、NAND、HBM)均处于售罄状态。

2026 年 6 月 8 日,SK 海力士又与英伟达宣布达成多年联合开发合作,覆盖 AI 内存技术路线,HBM 主要客户已锁定至 2030 年。

在这个背景之下,今年 SK 海力士正在放缓部分 HBM4 产线转换步伐,将更多注意力转向常规 DRAM。数据显示,2026 年第一季度,SK 海力士全球 HBM 市场份额从 69% 降至 58%,三星与美光的供应增加使 HBM 供应格局从双方向三方演变。

摩根大通明确提出:本轮存储超级周期将‘更高、更长’,存储正从传统的周期性大宗商品向 AI 基础设施的战略核心资产转型。

这也意味着,消费电子品牌逐渐丧失产能议价权,只能承接碎片化现货产能,进一步放大了市场供给缺口。

终端承压,消费电子行业负重前行

上游存储芯片的涨价浪潮,已完整传导至消费终端,手机和 PC 两大核心赛道集体陷入成本承压、产品调价、需求走弱的三重困境,行业低价红利走向终结。

智能手机市场成为重灾区,IDC 预计 2026 年全球智能手机平均售价(ASP)将升至 523 美元,同比上涨约 14%,创下历史新高。Counterpoint Research 预测出货量将同比下降 12%,略低于 11 亿部,Gartner 则预测出货量同比下降 8.4%,价格上涨 13%。

在直接涨价之外,厂商更多采用隐形减配的方式对冲成本压力:3000 元价位段机型基本砍掉了 1TB 版本,部分机型进一步减少了运行内存起步规格,8GB 时代可能回归;同时通过压缩电池容量、降低充电功率、删减屏幕高刷等配置分摊成本。

千元入门机型因毛利趋近于零,被多数品牌直接关停,行业购机门槛大幅抬升。据 IDC 发布的最新报告显示,2026 年第一季度,1000 元以下全新机型的市场份额从 2023 年的 22% 暴跌至不足 3%。

PC 与 DIY 硬件市场的冲击更为直观,惠普公司近日在 2026 财年第一季度财报电话会上表示,用于组装一台个人电脑的物料成本结构正在发生显著变化,其中内存成本的权重在一个季度内几乎翻倍。

按照惠普的说法,内存目前约占整机物料成本的 35%,而在上一季度这一比例还只有约 15% 至 18%,公司预计这一占比在今年内还将继续上升。

与此同时,主流游戏本的价格被拉高了数千元,据澎湃新闻,以上海、郑州为代表的线下数码市场中,联想拯救者 Y9000P 这类主流游戏本终端售价普遍上涨约 5000 元,从年初约 1 万元拉高至 1.5 万至 1.6 万元区间。

整体来看,消费电子行业的核心增长逻辑已经逆转:过去依靠降价增配刺激换机需求,如今陷入涨价减配和需求收缩的恶性循环,行业增长压力持续加剧。

面对 AI 虹吸产能催生的存储高价新常态,消费电子产业链开启全方位自救,终端厂商、国产存储企业与技术研发端同步发力,试图对冲行业成本危机。

终端品牌率先启动结构性调整,推行产品分层策略:高端机型保留大内存规格,或将上涨成本传导至终端售价;中端机型适度压缩硬件配置、守住价格红线;同时逐步缩减低毛利入门产品线,重心转向具备盈利空间的中高端市场。

头部手机与 PC 厂商开始和存储企业签订长期锁价协议,对冲现货价格大幅波动的风险。与此同时,厂商借助系统调度优化、内存压缩、虚拟内存扩容等软件技术,降低终端对物理运存的硬性需求,缓解大容量内存的配置压力。

其次,海外头部存储厂商持续向 HBM 倾斜产能,叠加原厂供货交期拉长,为国产存储产业创造了难得的替代窗口期。其中,长鑫科技已实现 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 全系列 DRAM 产品量产,核心产品技术达国际先进水平,覆盖服务器、移动设备、智能汽车等主流市场。

不过需要正视的是,国产存储仍存在制程和产能规模短板,短期内只能缓解涨价幅度,无法逆转行业高价格局。

再者,MRAM、SCM 等新一代存储技术正逐步推进落地,长期来看有望重塑存储市场格局,降低终端对 DRAM 的刚性需求。不过这类新技术从量产走向规模化商用需要很长时间,短期内难以撼动当前产业格局。

就目前的发展来看,算力繁荣的红利正集中流向 AI 基础设施赛道,而消费电子行业已然迈入 AI 时代的高价新常。

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