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三星电子计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用
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考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+,其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。

8 月 12 日,据 ZDNET Korea,三星电子计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示,对于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点来说,High NA EUV 光刻图案化技术仍不算成熟。

而更高的图案化分辨率将在 1nm 级成为刚需,因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+,其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。

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