快科技 8 月 12 日消息，为了阻击长江、长鑫等中国本土存储厂商的快速扩张，原本发展节奏偏缓的韩系存储巨头，最近也不得不全面提速自身的产能布局节奏。

据悉，SK 海力士近期已经正式重启了位于中国大连的 NAND 闪存生产基地 2 号工厂建设项目，整体投产后大连厂区的存储芯片产能将扩大约 50%。

这座大连 2 号工厂早在 4 年前就已经正式动工，后续因为全球存储器行业进入下行低迷周期，整个建设工程长期处于停滞搁置的状态，一直没有后续推进动作。SK 海力士最新规划显示，将在今年年底前完成首批半导体生产设备的入厂安装调试，于明年上半年实现正式量产投产。

新建成的这条生产线晶圆投片量约为每月 5 万片，要是再叠加大连 1 号工厂现有的每月 10 万片产能，SK 海力士在大连厂区的总生产规模将直接提升约 50%。

2021 年，SK 海力士通过收购英特尔的 NAND 存储业务板块成立了独立品牌 Solidigm，同时完整接手了大连 1 号工厂及全部相关厂区资产，在次年 5 月就正式启动了 2 号工厂的新建工作。

没想到后续因为存储半导体行业整体陷入需求低迷、价格倒挂的寒冬周期，大连 2 号工厂在完成主体框架施工之后，项目就彻底停摆，迟迟没有推进设备入驻的后续动作。

多位半导体行业内部人士对此分析表示，长江存储、长鑫存储等中国本土存储厂商最近几年的技术迭代和产能扩张速度远超行业预期，如果三星、SK 海力士这类韩系存储巨头还继续按照原本慢悠悠的发展节奏推进产能建设，用不了多久就会被快速追平甚至反超，到时候韩系厂商长期把持的全球存储市场份额基本盘，就会直接面临难以挽回的严重冲击。

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