全球三大晶圆代工巨头在下一代顶尖光刻机的导入策略上，呈现出清晰的商业分野。

当一台 High-NA EUV 光刻机标价近 4 亿美元时，选择何时导入就不仅是一个技术问题，更是一道商业命题。

8 月 11 日的会议上，三星正式明确了商业化时点：2 纳米（SF2）与 1.4 纳米（SF1.4）节点将继续沿用现有 0.33 NA EUV 设备，直至 2030 年前后推出的 1 纳米（A10）节点，才会全面开启 High-NA EUV 的商业化量产。

这意味着，继台积电公开宣布暂缓引入 High-NA 设备后，全球第二大晶圆代工厂三星也做出了同样的战略回调。

一、三星：2030 年 1 纳米导入

据韩国《ZDNet Korea》2026 年 8 月 11 日现场报道，在首尔举行的 "2026 下一代光刻与图案化学术会议（NGL 2026）" 上，三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队专家朴昌民（Park Chang ‑ min）正式披露了公司下一代光刻技术路线图。

三星电子明确将高数值孔径极紫外光刻（High ‑ NA EUV）技术的商业化量产节点设定为 1 纳米级（A10）工艺，预计落地时间约为 2030 年。

而在近期的 2 纳米（SF2）及 1.4 纳米（SF1.4）节点上，三星将继续以常规 0.33 NA（Low ‑ NA）EUV 结合多重曝光（Multi ‑ Patterning）技术作为主力制造方案。

针对商业化时点的选择，朴昌民表示，三星原本曾评估在 2 纳米及 1.4 纳米节点提早导入 High ‑ NA EUV 设备，但考量到当前 High ‑ NA EUV 配套的光刻胶、掩模（Mask）、掩模保护膜（Pellicle）以及测量检验等产业链生态仍需进一步补充完善，加之设备成本极高且半场曝光（Half ‑ field）工艺增加了曝光次数与缺陷控制难度，短期内硬性量产将显著推高制造成本。

因此，在 2 纳米至 1.4 纳米阶段，现有 0.33 NA EUV 多重曝光技术仍最具经济性与工艺成熟度；而当晶圆制程缩减至 1 纳米级以下时，极致的图形分辨率将成为刚需，High ‑ NA EUV 技术必不可少。

从三星晶圆代工（Samsung Foundry）的工艺推进节点来看，三星已完成第一代 2 纳米工艺的量产落地，目前规划于 2029 年正式开启 1.4 纳米（SF1.4）节点的量产，并计划于 2030 年前后推出改进型 SF1.4+ 以及 1 纳米（A10）工艺节点。

在硬件设备储备方面，三星已于 2025 ‑ 2026 年上半年，在韩国华城研发园区引入两台 ASML EXE ‑系列 High ‑ NA EUV 试验机。现阶段两台设备仅用于工艺参数评估、缺陷容忍度测试以及底层材料连通验证，暂不投入量产产线，为 2030 年 1 纳米节点的规模化部署积蓄技术储备。

随着三星官方路线图的厘清，全球三大晶圆代工巨头在 High ‑ NA EUV 技术的导入策略上呈现出清晰的分野。

二、英特尔：18A 率先试用，14A 全面铺开

英特尔方面相对积极，据外媒 The Elec 7 月份报道，在三星与台积电尚在观望之际，英特尔已在其代号为 " 黑豹湖 "（Panther Lake）、采用 18A 工艺制造的英特尔酷睿 Ultra 系列 3 处理器中，率先将 High-NA EUV 技术用于部分特定电路层的光刻。ASML 官方对此证实，这标志着半导体行业首次将高数值孔径极紫外光刻技术正式应用于大规模生产的逻辑器件中。

据 Tom's Hardware 报道，英特尔计划在接下来的 Intel 14A（1.4 纳米级）节点更全面地商用 High-NA EUV。英特尔的核心考量在于，利用 High-NA 约 8nm 的极致单次曝光分辨率，直接取代传统设备所需的三到四次复杂多重曝光工序（SAQP/LELELE），缩减数十道掩模步骤，规避对准误差。

同时，英特尔高管透露其在 14A 节点依然保留了一套基于 0.33 NA 的备用路线，以防范新设备量产成本过高或良率不达标的风险。

三、台积电：实验室跟进，量产等至 A10

台积电方面相对谨慎，据 TechNews 报道，台积电董事长魏哲家表示，公司实际上早已采购了 High-NA EUV 设备，并正在实验室中积极开展研发工作。这表明台积电并未放弃对前沿技术的跟踪与储备，而是将 " 实验室研发 " 与 " 工厂大规模量产 " 做出了极其严苛的区分。

而在商业量产线上，台积电保持着高度的审慎。据 Tom's Hardware 援引台积电副共同营运长张晓强（Kevin Zhang）的话报道，台积电技术路线图显示，公司即将推出的 A13 和 A12 工艺（均计划于 2029 年推出）预计均不需要高数值孔径极光刻技术。

台积电同样选择将真正的 High-NA EUV 商业量产节点推迟至 2030 年前后的 A10（1 纳米级）节点。

结语

行业分析认为，过去以 " 不计成本堆砌顶尖设备 " 来换取制程代际领先的模式，在单台设备售价推高至近 30 亿元人民币的当下，正在失去商业合理性。

当配套的光刻胶、护膜与半场曝光拼接工艺无法同步成熟时，过早引入顶尖硬件反而会带来沉重的折旧包袱。

英特尔押注 14A 是一场试图重塑代工格局的重要布局，而台积电与三星将 High-NA 延后至 2030 年的 1nm 时代，则是根据产业链成熟度与客户总拥有成本（TCO）做出的冷静抉择。

在先进制程迈入微观极限的今天，决定晶圆代工巨头胜负的关键，早已不仅仅是装备了哪台设备，而是能否在良率、功耗、产能与客户的实际承受力之间，找到那个最平衡的商业交点。

# 晶圆代工 # 光刻机 # 台积电 # 英特尔