一、硬指标与量产现状（截至 2026 年 8 月）

HBM3E

8 层 HBM3E：大规模稳定量产，供货 SK 海力士；行业口径量产良率稳定98.5%；

12 层 HBM3E：2026 年 6 月实现量产，国内内资封测独一家，12 层良率维持 97% 以上；

层数越高工艺难度指数上升，12 层是当前 AI 高端服务器主流高阶规格。

HBM4

样品完成工艺开发，正在头部存储客户验证阶段，目标 2026 – 2027 年逐步导入量产；尚未大规模商业供货。

底层工艺底座

依托自研XDFOI 高密度异构集成平台，同时打通：超薄晶圆研磨、高精度微凸点、± 0.8 μ m 级热压键合、3D 堆叠可靠性测试；

优势：可以同时承接HBM 存储堆叠 + AI GPU 2.5D 封装，具备 GPU+HBM 合封一体化能力，国内同行极少同时具备两套量产工艺。

二、全球梯队定位（分层对比）

第一梯队（行业天花板）

台积电（CoWoS）、三星 IDM 自有产线、SK 海力士自有封装产线

优势：掌握高端硅中介层、混合键合、最高阶 HBM4/16 层方案，深度绑定英伟达旗舰 GPU。

长电科技：全球第三方 OSAT（外包封测）第一梯队、中国大陆断层第一

全球独立封测厂商里，第二大 HBM 外包供应商，是大陆唯一进入海外高端算力 HBM3E 供应链的内资封测厂。

和SK 海力士深度合作，HBM3E 长协订单排产至 2027 年；

对比三星自有产线：8 层 HBM3E 良率指标不相上下；

和台积电差距：

1）缺少超大尺寸高端硅中介层大规模量产能力；

2）GPU+HBM 联合封装的顶级客户生态、HBM4 前沿工艺节奏略慢台积电；

3）长电路线兼顾成本，XDFOI 有机中介层方案相比台积电硅中介层各有取舍。

国内同行横向对比（差距清晰）

通富微电：HBM 仅停留在样品验证，暂无 HBM3E 大规模量产产线；

华天科技：以 HBM3 研发送样为主，未实现高阶 HBM3E 批量出货；

太极海太（合资）：具备 HBM 量产能力，但客户结构、先进封装全栈能力弱于长电；

深科技：难以切入海外 AI 服务器高端 HBM 供应链。

简单总结：国内 HBM 封装，长电当前量产规格、良率、海外客户资质处于领先位置。

三、技术优势

多层堆叠量产经验壁垒

HBM 核心难点不在理论，而在大批量良率控制：晶圆超薄化、多层堆叠对准、应力控制、高低温可靠性。长电多年存储封测积累形成 know-how。

" 算力 + 存储封装协同 " 独有优势

市面上多数厂商只能单独做 HBM 或者单独做 GPU 封装；长电同时具备高端 FCBGA、2.5D Chiplet（XDFOI）+HBM3D 堆叠量产能力，适配未来 GPU+HBM 一体化集成趋势。

产线资本开支落地

合肥建设专属 HBM 产线定向扩产，区别于通用封测产线改造，有利于持续提升良率与产能规模。

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