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深度探访SK海力士:依托AI浪潮斥资7200亿美元大举扩产,重塑韩国半导体版图
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核心要点

存储行业素有盛衰循环周期,但 SK 海力士依然启动全球规模最大的存储晶圆厂扩建计划,豪掷 7200 亿美元加码产能。成为首家获准实地拍摄探访龙仁产业集群的媒体,该园区首座工厂将于明年 2 月投产。 韩国总统敦促 SK 海力士与头号竞争对手三星快速扩充存储产能;配套国家级产业规划包含至少 220 亿美元芯片扶持方案。 SK 海力士 7 月登陆纳斯达克,创下外国企业在美国市场最大规模 IPO 融资纪录。

韩国多山地貌,大型基建项目推进难度极高。但这家全球领先高带宽内存厂商计划投入 7200 亿美元,打造号称全球规模最大的存储芯片工厂集群。

过去一年,SK 海力士市值暴涨超 5 倍,现已突破 1 万亿美元。公司大举押注:人工智能催生的海量需求具备长期持续性。产能紧缺推动芯片价格持续走高,正在改写存储行业传统 " 兴衰循环 " 格局;英伟达等 AI 芯片巨头不惜承担更高风险,争抢锁定稳定供货。

市场研究机构 Counterpoint 数据显示,一季度 SK 海力士占据高带宽内存 HBM 市场 58% 份额;韩国同行三星、美国美光各占 21%。

为筹措这项宏大的扩建计划资金,主营韩交所上市的 SK 海力士,7 月于纳斯达克挂牌募资 265 亿美元,创下外国企业赴美上市融资规模新高。

不过对于新晋美股投资者而言,近一个月行情承压。自 7 月 14 日触及近 195 美元高点后,该股美股上市份额累计回落约 21%,周三收盘报 154.41 美元。股价回调,恰逢 AI 板块整体剧烈震荡、芯片股普跌;而韩国股市近半数市值由 SK 海力士与三星两家企业决定。

但上述波动不会阻碍 SK 海力士推进这项历史性扩产计划。韩国总统李在明 6 月公布国家级产业蓝图,规划五年内本国存储芯片产能实现翻倍,三星多个超级晶圆厂建设也包含在内。

2026 年 7 月 21 日,韩国龙仁市,SK 海力士 HBM 设计负责人朴明宰带领 记者凯蒂・塔拉索夫参观在建龙仁产业集群。

上获得独家探访权限,成为首家获准摄制龙仁产业集群的媒体;同时实地走访清州存储无尘车间,当地同样正在推进大规模基础设施建设。

" 形势如同一场争夺战 "

对比美国芯片工厂与本次探访的 SK 海力士三大园区,最直观差异在于建筑高度。龙仁集群首座晶圆厂主体结构已完成近半,建筑高度相当于一栋 50 层住宅楼。厂区内将建设 6 间跨楼层连通的无尘室;不同于台积电英特尔在美国亚利桑那新建工厂横向平铺单层布局。

HBM 由通用 DRAM 堆叠制成,具备超高带宽,能够高速调取数据,支撑 AI 处理器运算。大批量生产 HBM 会消耗巨量 DRAM 产能,挤压消费电子芯片供给。AI 巨头签下数年周期长期供货合约,彻底打破以往存储芯片低毛利、短期订单的行业惯例。

SK 海力士控股股东 SK 集团会长崔泰源在首尔接受采访时表示:" 现在形势如同一场争夺战。所有企业都在抢购存储芯片;没有存储芯片,它们就无法生产 AI 算力设备与 AI 芯片。"

崔泰源坦言:" 芯片价格上涨速度过快,希望本轮大规模扩产能够改善供需。我们正全力以赴推进产能建设。"

2026 年 7 月 22 日,首尔 SK 集团总部,SK 集团会长崔泰源向记者展示 HBM4 芯片。

SK 海力士 7 月披露,已和多家核心客户签署十份长期供货协议。英伟达与 SK 集团达成总额 5000 亿美元合作,锁定稳定 HBM 供给、联合开发下一代存储产品,并计划 2027 年前依托 SK 电讯共建新建数据中心。

崔泰源向记者展示一片晶圆,上面留有英伟达 CEO 黄仁勋的留言:请增产更多芯片。他表示会定期会见微软纳德拉、谷歌皮查伊、Meta 扎克伯格等科技巨头高管。近数月,黄仁勋与 AMD CEO 苏姿丰相继到访韩国,洽谈存储芯片合作。

Counterpoint 研究总监黄敏硕提到,当前 SK 海力士、三星各大存储工厂周边酒店全部订满。 " 几乎所有大型科技企业高管都奔赴韩国洽谈供货合约。"

SK 海力士在中国设有三座存储工厂,但受美国出口管制约束,无法在华销售先进 HBM 产品。中国本土 AI 所需高端存储产业正在崛起,长鑫存储近期登陆上海资本市场,上市表现火爆。

黄敏硕评价:" 这是一场竞赛,如今我们的竞争对手就是中国。这场竞争的风险,远超全球其他任何赛道。"

韩国总统李在明正督促本土晶圆厂加快建设;与此同时,美国也全力冲刺扩充芯片产能。

SK 海力士巨型龙仁产业集群四座晶圆厂中的首座厂房初具规模。

全球竞速:建造更大、更强的存储产能

美光计划投入 500 亿美元,在美国爱达荷州博伊西新建两座大型存储晶圆厂,首座工厂预计 2027 年启动晶圆生产;同时在纽约州克莱市投资 1000 亿美元打造产业园区,最多落地四座工厂。

SK 海力士也在布局首座美国工厂,项目预计 2028 年完工。这座坐落于印第安纳州西拉斐特、投资 40 亿美元的工厂定位先进封装基地,负责存储芯片堆叠与线路互联,并不开展晶圆前道制造。

除印第安纳项目外,SK 海力士现有海外产能全部落地中国。

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