依托芯片复兴战略的持续落地，日本半导体产业正迎来久违的外资热潮。

日本政府又给 Rapidus 打钱了。

据多家日本媒体 8 月 21 日消息，日本经济产业省计划在 2027 年度预算案中新增 1500 亿日元（约合 9.44 亿美元）追加出资，投向本土先进晶圆代工企业 Rapidus，该方案还需要后续国会流程审批后方可正式生效。如若预算顺利落地，加上此前 2026 年 2 月、6 月两笔合计 2500 亿日元直接投资，日本政府直接出资总额将达到 4000 亿日元。

叠加委托研发形式下发的各项补贴，至 2028 年 3 月，政府层面整体扶持资金规模将逼近 3 万亿日元。日本三菱 UFJ、三井住友、瑞穗三大银行正商讨提供最高 2 万亿日元、附带政府担保的融资方案，后续落地之后将进一步补足项目资金缺口，一场万亿级别的半导体攻坚计划正在全面铺开。

一、Rapidus 进度如何？

巨额资金投入之下，Rapidus 也对外亮出清晰的先进封装技术蓝图。在 2026OCP 亚太峰会上，Rapidus Design Solutions 封装技术 Field CTO Rozalia Beica 公布中长期路线图，公司计划 2030 年实现 8 掩模版、6640 平方毫米中介层量产，配套有机基板面积可达 14400 平方毫米，整体方案服务于 600 × 600 毫米面板级 AI 处理器封装项目。

对比台积电 CoWoS 硅中介层逐年放大掩模版面积的路线，Rapidus 选择了差异化的大面板工艺路径。从产出效率数据来看，同规格 8 掩模版中介层，传统 300 毫米圆形晶圆仅可产出 4 颗，而 600 × 600 毫米方形面板能够产出 49 颗芯片，材料利用率优势十分突出。目前 600 毫米面板样品已经试制完成，公司将同步推进 300mm 晶圆、大尺寸面板两条产线并行开发。

依托日本 NEDO 2026 财年项目预算，Rapidus 旗下 RCS 芯粒解决方案试验产线即将投产，重点攻克 2.xD、3D 高密度集成工艺，泛林 Kallisto 电镀设备将作为核心装备，完成 600mm 玻璃载板上面重布线层 RDL 的加工制造。

早在 2025 年末，Rapidus 已经推出大尺寸玻璃中介层原型，目标锁定 2028 年实现商业化量产。除此以外，公司推出 IIM 创新集成制造模式，依靠传感器与 AI 实时监测生产过程、预判缺陷风险，打通设计端和制造端的数据闭环，目标建成全球首座前后道一体化工厂。

Rapidus 被称为 " 日本半导体国家队 "，已经完成 2 纳米 GAA 晶体管原型试制，2027 年下半年正式启动 2nm 芯片量产，初期月产能 6000 片，次年爬坡至每月 2.5 万片。客户拓展方面，富士通成为首家正式商业客户，Tenstorrent 拿到早期产能配额，目前团队已经和超过 60 家海内外企业展开商务洽谈。按照整体规划，Rapidus 2026 年启动 1.4nm 工艺研发，瞄准 2029 年量产，目标缩短与头部厂商的制程差距。

二、Rapidus 之外，日本还在拉人入局

仅仅依靠 Rapidus 一家企业，很难短时间补齐日本半导体整条产业链。日本现阶段产业策略有着非常清晰的分工：本土企业负责攻坚最顶层的 2nm 自主制程，另一边拿出大额补贴，吸引海外厂商落地，快速补齐成熟制程、HBM 存储、光芯片等环节产能缺口。台积电、美光、Tower 近期落地的一系列项目，正是这套招商引资政策下的代表性案例。

1）台积电（TSMC）

台积电在日本的布局早已跳出单一代工工厂的定位，正在熊本逐步搭建区域性半导体产业集群。熊本首厂已经投产，主攻 28/22nm 以及 16/12nm 成熟制程，月产能稳定在 5 万片，主要供给汽车、工业芯片市场。

今年 2 月，台积电对外提出熊本二厂升级规划，在原定 6/7nm 等制程规划基础上，向上兼容导入 3nm 先进制程，项目投资额上调至 170 亿美元；不过该先进制程方案尚待日本经产省最终审批，当前官方获批产能以 6/7nm、12-16nm、40nm 为主，工厂可拿到日本政府最高 7320 亿日元专项补贴。

产业配套层面，台积电与索尼已经官宣成立独立的图像传感器合资公司，并非现有 JASM 熊本厂区，索尼持股约 60%、台积电占 40%，双方首期合计出资 7470 亿日元，项目整体规划投入接近 1 万亿日元，工厂预计 2029 年投产，主攻车载、高端手机 CIS 芯片市场。

2）美光（Micron）

全球 AI 算力需求拉动 HBM 产品持续供不应求，美光选择加码广岛工厂扩产。今年 7 月扩建项目正式动工，整体投入 1.5 万亿日元，新增产线预计 2028 年夏季投产出货，用来大幅提升面向 AI 服务器的高带宽内存供货规模。

日本经产省为本轮扩建项目提供最高 5000 亿日元专项补贴，覆盖约三分之一建设成本；叠加此前广岛厂区获得的扶持，美光在当地累计拿到补贴额度可达 7750 亿日元。

美光 CEO 桑杰 · 梅赫罗特拉在开工仪式上提到，广岛将会成为美光 HBM 产品重要的生产基地。根据 TrendForce 集邦咨询的数据，2025 年美光 HBM 全球市占率大约 20%。目前广岛原有厂区 HBM 产能已经处于满载，新产线落地之后，美光的 HBM 供货能力将会明显提升。

3）高塔半导体（Tower）

光芯片方向，Tower 半导体 7 月公布日本扩产计划，总投资额约 6000 亿日元，改造扩建富山县鱼津市、新潟县妙高市两处厂区，布局硅光子、硅锗光芯片制造产线，项目拿到日本经济产业省专项补贴。该项目将配合 NTT 主导的国家级 IOWN 光电融合战略落地。日本招商引资不再只盯着逻辑芯片、存储芯片，已经提前布局光芯片这类下一代算力基础设施。

日本政府砸入真金白银，复兴产业的决心是看得见的。不过，产业重建这件事，补贴只是第一步。Rapidus 的 2nm 产线 2027 年下半年才启动量产，台积电熊本二厂的先进制程产能释放也需要时间，美光的广岛 HBM 产线要到 2028 年。接下来两三年，预算能不能按期落地、产线爬坡顺不顺利、客户是否愿意转单，每一项都是变量。钱花出去了，效果还得等时间验证。

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