每日经济新闻 昨天
SK海力士预判内存短缺到2030年底,同指数费率最低标的科创芯片ETF(588290)跟踪指数上涨0.51%
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截至 9 时 35 分,芯片板块表现活跃,同指数费率最低标的科创芯片 ETF(588290)跟踪指数上涨 0.51%,成分股方面,纳芯微上涨 4.56%,寒武纪上涨 2.97%,海光信息上涨 2.7%。

消息面上,SK 海力士 CEO 郭鲁正表示,未看到任何显著的内存市场下行信号,预计内存短缺状况将持续至 2030 年底。此前,SK 海力士启动位于美国印第安纳州、投资 40 亿美元的存储中心建设;将于 2029 年下半年在印第安纳州工厂启动下一代 HBM4E 芯片的量产。SK 海力士 CEO 预计印第安纳州将成为美国高带宽内存(HBM)的核心生产基地。

相关研究机构表示,我们认为算力产业链中高景气细分赛道如 PCB、存储等需求旺盛,均处于景气扩张周期,亦有望提振上游设备、先进封装等需求,建议关注 PCB、存储、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)

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