快科技 8 月 28 日消息，在德意志银行 2026 年技术大会上，英特尔首席财务官 David Zinsner 表示，即将推出的 Intel 14A 制程拥有自 22nm 节点以来最优的 " 缺陷密度曲线 "。

22nm 是英特尔首个 FinFET 节点，以此作为参照，也折射出公司在先进制程上的曲折历程—— 14nm 首发欠佳，10nm 遭遇重挫，而 22nm 初期同样良率低迷，曾有内部员工透露首批 Ivy Bridge 芯片良率一度为零。

英特尔多次调整 14A 路线图：2026 年 5 月 CEO 陈立武给出的规划是 2028 年风险试产、2029 年量产，但在 7 月财报会议中，时间表提前至 2027 年下半年风险试产、2028 年全面量产。

陈立武强调，14A 在缺陷密度和晶体管性能上均超越 18A 同期水平。目前 0.5 版本 PDK 已向客户开放，0.9 版本预计 2026 年 10 月发布。技术方面，14A 将采用第二代 RibbonFET、PowerDirect 背部供电及 ASML High-NA EUV 光刻设备。

先进封装领域，英特尔的 EMIB-T 技术预计 2027 年大规模量产。该技术通过在基板中嵌入硅桥实现高密度互连，新增硅通孔结构使 ASIC 可直接从基板取电，支持单封装数千瓦级功耗。

博通、Meta 等客户正评估将原定台积电 CoWoS 方案的部分项目转至 EMIB 平台；英特尔已为谷歌 2027 年 AI 芯片完成 EMIB-T 封装验证，良率达 90%，且据称 EMIB-T 相较 CoWoS 封装成本差距最高可达 50%。

为支撑代工业务，英特尔加速工厂建设：亚利桑那州 Fab 62/52 已就绪待安装设备，俄勒冈州研发晶圆厂负责 14A 试产及后续量产，俄亥俄州一期工厂正全力建设，预计直接承担 14A 量产任务。

英特尔预计，14A 和 EMIB-T 将从 2027 年底为 Intel Foundry 打开市场，实质性营收贡献将在 2028 — 2029 年显现。

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责任编辑：鹿角