快科技 9 月 1 日消息，先进工艺生产越来越离不开 EUV 光刻机，ASML 的 EUV 技术也逐渐从 Low NA 扩展到 High NA EUV 光刻机，目前已经量产出了 135 万片晶圆。

作为唯一的 EUV 光刻机供应商，ASML 公司日前在半导体大会上透露了 High NA EUV 的最新进展，目前全球有 4 家客户投入了 10 台 High NA EUV 光刻机，还有 3 台系统正在出货安装中。

从 ASML 给出的分布来看，10 台 High NA EUV 光刻机主要分布在韩国、美国、欧洲及中国台湾地区的公司手中，这也没啥悬念，基本上只有 Intel、三星、SK 海力士及台积电在购买使用 High NA EUV 光刻机，欧洲的应该是 IMEC 比利时微电子中心的，用于 EUV 技术研发试验。

已投入生产的 10 台 High NA EUV 光刻机累积已经生产了 135 万片晶圆，EXE:5200B 型号目前已经达到了 135WPH（1 小时曝光 135 片晶圆）的吞吐量，ASML 宣称达到了量产标准，并且为 HVM 大规模量产做准备。

不过这跟 ASML 官方页面宣称的产能还有点距离，EXE:5200B 官方宣布的产能达到了 175WPH 以上。

对于 High NA EUV 来说，当前的生态显然还是有提升空间的，ASML 提到设备可用率达到了 84%，今年底将达到 90%，并朝着 93% 的目标前进。

ASML 还公布了 High NA EUV 的路线图，EXE:5200B 下一代型号要升级到 EXE:5400E，EUV 光源功率将从 600W 提升到 1000W，进一步提升产能水平，ASM 目标是本年度末提升到 180WPH。

作为对比，DUV 光刻机目前的生产能力可以达到 300-400WPH，显然 EUV 生态还有很长的路要走。

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