9 月 10 日，存储芯片概念活跃，太极实业涨停，深科技、德邦科技、德明利、普冉股份、佰维存储跟涨。

消息面上，日前，有报告称，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天的水平，引发市场担忧可用供应可能在明年耗尽。

隔夜美股，芯片股涨跌不一，费城半导体指数收涨 0.37%。其中，迈威尔科技（MRVL.US）涨超 4%，泰瑞达（TER.US）、超威半导体（AMD.US）涨超 3%，美光科技（MU.US）涨超 2%，闪迪（SNDK.US）收涨约 1.51% 至 1764.17 美元，延续近一个月来的强势走势；科天半导体跌超 3%，阿斯麦（ASML.US）跌 2%，拉姆研究（LRCX.US）、博通（AVGO.US）跌超 1%。

SK 海力士（SKHY.US）美股早盘大涨约 4% 至 193.53 美元，盘中创历史新高，收盘涨幅扩大至 7%，领跑整个存储板块。

此轮上涨直接由高盛（GS.US）的最新研报驱动。高盛指出，美光和闪迪已突破压制整个夏季的下行趋势，对冲基金在该板块的持仓仍处于低位，为资金重新入场留有空间。

不过，铠侠首席执行官 Hiroo Ota 同日表示，NAND 价格已涨幅足够，并警告行业若继续强推涨价可能损害自身增长，为这波涨势增添了一丝变数。

高盛认为，当前市场对半导体周期性风险的情绪仍偏谨慎，而对于低配该板块的基金而言，" 痛苦交易 " 方向已转向上行。