9 月 20 日，2026 世界制造业大会现场传来重磅喜讯，长鑫科技正式官宣第五代 DRAM（G5）技术平台顺利完成产线验证，全面进入量产阶段。此次技术落地，标志着国产内存制造工艺实现跨越式升级，核心量产水准成功接轨全球一线梯队，有效破解高端 DRAM 技术长期受制于人的行业难题。

全新 G5 平台完成多项核心工艺的精细化革新，关键制程参数实现大幅优化。平台将内存阵列有源区半间距精缩至 11.95 纳米，创新实现 45:1 的超高存储器电容深宽比，同时把核心动能区高度降至 6762 纳米。通过结构与工艺的双重升级，芯片集成度、运行稳定性显著提升，有效改善传统存储芯片能耗偏高、存储密度不足的短板，综合性能全面升级。

量产效能与成本控制方面，新平台优势十分突出。依托成熟的制程迭代技术，同等生产条件下，单片晶圆产出量较上一代产品提升超 50%。产能利用率与良品率同步提升，既实现规模化降本，又优化芯片能效表现，让国产 DRAM 在性能、功耗、性价比层面形成综合竞争优势。

与此同时，基于 G5 平台研发的 24Gb LPDDR5X 大容量内存颗粒同步实现规模量产，产品提供双封装形态，可灵活适配高端手机、便携智能终端等设备，目前已稳定供货国产旗舰机型，填补了国内高端移动存储领域的市场空白。

此次第五代 DRAM 平台的量产落地，大幅提升国内存储供应链自主可控能力，缩减高端内存的对外依赖。未来长鑫科技将持续深耕存储技术迭代，丰富产品矩阵，为消费电子、算力终端等多领域输出高品质国产化存储方案，持续助力国内半导体产业高质量发展。