《电鳗财经》电鳗号 / 文

9 月 20 日，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）实现量产，并同步展出基于该平台的大容量 LPDDR5X 新品。这是继 DDR5、LPDDR5/5X 规模出货后，公司在高端存储微缩工艺上的又一关键落地，也与其 2025 年扭亏、2026 年业绩高增的财务曲线形成互相印证。

G5 平台从微缩工艺到单晶圆产出跃升

据长鑫科技披露，G5 平台采用创新四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球顶尖内存量产节点；存储电容深宽比达 45:1，并引入高介电常数金属栅（HKMG）工艺，核心功能区高度压缩至 6762 纳米。

最直观的产出效益是密度提升：按 8Gb 颗粒基准，G5 每片晶圆裸片产出较第四代平台提升至少 50%，对应单位成本、能效均有改善空间。大会同步亮相两款基于 G5 的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量 24Gb、较上代同类型提升 50%，分别采用 496Ball 与 245Ball 封装，面向中高端智能手机、便携消费电子，均已进入规模量产。

对国产内存而言，G5 的意义不只在 " 参数逼近 "，更在于以自有 IDM 体系把微缩、电容、金属栅、封装验证串成可量产能力，为后续大容量手机内存、服务器 DDR5 迭代和更先进平台预留路径。

扭亏后高增 现金流与募资支撑扩产

G5 量产的底气，来自近两年财务结构的根本性反转。2025 年长鑫科技营收 617.99 亿元，同比增约 155.6%；归母净利润 18.75 亿元，扣非净利润 53.16 亿元，终结此前连续亏损，实现年度扭亏。2022 年 -2024 年归母净亏损分别为 83.28 亿元、163.40 亿元、71.45 亿元，2022 — 2024 三年合计亏损超 300 亿元。

今年一季度，长鑫科技营收 508 亿元，同比增 719.13%；净利润 330.12 亿元，去年同期为亏；归母净利润 247.62 亿元，同比增 1688.30%。增长主因是 AI 算力带动 DRAM 供不应求、价格自 2025 下半年持续上行，以及公司产能利用率、产品结构同步改善。

长鑫科技发布的半年显示，今年上半年公司实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；实现归母净利润 776.05 亿元，同比大幅扭亏；主营业务毛利率大幅提升至 84.84%。

长鑫科技在财报中表示 2026 年下半年，全球 DRAM 产品供给紧缺格局将继续延续。公司将持续关注宏观经济波动、 地缘政治局势等外部影响，直面多重挑战，把握发展机遇，锚定全年业绩增长目标、新应用场景拓展、重点项目落地、产学研深度融合等方向发力，力争在运营效能提升、产品迭代升级、长期发展布局、 开放协同创新等方面取得更大突破，进一步强化核心竞争力，扩大市场影响力。

但业内人士也指，现阶段 DRAM 强周期未变，当前高增含 AI 涨价红利，后续若合约价回落，重资产折旧与新建产能会放大利润波动；HBM、超高端服务器内存方面，海外三巨头仍处领先，长鑫 G5 更多是夯实通用与低功耗基本盘，再向更高带宽场景过渡。整体看，G5 量产 + 财务反转 + 募资扩产三者叠加，国产 DRAM 自主可控已从 " 替代选项 " 转为 " 规模供给 "。

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