每日经济新闻 昨天
长鑫第五代DRAM技术平台已实现量产!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨超1%,近30日净流入超2亿元
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盘面上,两市高开震荡,芯片设计概念上涨。相关 ETF 方面,科创芯片设计 ETF 天弘(589070)标的指数盘中涨 1.05%,成交额达 1667.54 万元;换手率达 0.79%。成分股中,聚辰股份涨超 5%,杰华特、龙迅股份、澜起科技等多股跟涨。

科创芯片设计 ETF 天弘(589070)最近 30 个交易日累计获资金净流入 2.14 亿元。截至 2026 年 9 月 18 日,该基金最新规模为 20.98 亿元。

科创芯片设计 ETF 天弘(589070)具备 20% 涨跌幅的弹性,跟踪指数成分股囊括 50 家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比高达 96.1%," 含芯量 " 满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,成长空间可期。该 ETF 还配备了 2 只场外联接基金(A 类:027574;C 类:027575)。

消息面上,据证券时报,长鑫科技在世界制造业大会上宣布,其第五代 DRAM 技术平台(G5 平台)已实现量产。该平台基于创新的四重曝光技术,将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米,接近全球顶尖制程水平。依托这一突破,基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已全面进入国产主流旗舰手机。值得注意的是,每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少 50%,显著增强了产品在能效与成本上的竞争力。

五矿证券指出,芯片设计正从制程微缩向 " 高算力密度 " 与 " 高传输效率 " 双向演进,这重塑了关键金属需求,如锆、铪、钽等成为先进制程与 3D 堆叠技术的不可替代材料,具备战略投资价值。

风险提示:成分股仅为客观展示,不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议,市场有风险,投资需谨慎,指数基金存在跟踪误差,请投资人独立判断和决策。数据来源:wind。

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