长鑫存储（CXMT）在世界制造业大会上宣布，第五代 DRAM 技术平台（以下简称 "G5 平台 "）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。长鑫存储表示，新平台是其在高端存储技术路线上的里程碑式突破，工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。

据官方介绍，G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破：依托创新的四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程；通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。

微缩工艺的突破推动了存储密度实现跨越式提升，每片晶圆产出裸片数量相比于之前的第四代平台提升至少 50%，无论能效还是成本控制上，都有着更为明显的优势，为新一代产品带来了性能跃升。

与此同时，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进 DRAM 工艺模型，加速研发进程。另外在界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等核心工艺上，均实现了突破。

去年末，长鑫存储发布了 LPDDR5X 系列产品，最高速率达到了 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，包括 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案，提供了 8533Mbps 和 9600Mbps 规格可选，另外还有容量为 16GB 和 32GB 的 LPCAMM 模组形态产品。

这次长鑫存储在世界制造业大会展出了两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 产品，单颗容量提高至 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，均已进入规模量产阶段。

最近长鑫存储已正式量产 LPDDR6 产品，预计也将转向 G5 平台，通过新工艺进一步提升性能及能效表现。考虑到长鑫存储旗下也有 DDR5 产品，未来大概率还会带来 DDR6 产品，G5 平台应该有更大的施展空间。

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