快科技 9 月 24 日消息，据报道，摩根大通近日发布 HBM 行业研报，明确指出 HBM 规格降级是市场误读。2026 至 2028 年 HBM 比特需求复合增速仍达 63%，产业始终处于供给短缺状态。

摩根大通认为，规格下调改变的是产品组合，而非需求总量。三年累计比特需求总量基本维持在 1630 亿 Gb 不变，供需紧缺率从 -20% 小幅改善至 -16%。

短缺难以缓解的技术根源在于 "Die Penalty"（晶粒惩罚）。生产相同比特数量的 HBM，需消耗相当于传统 DRAM 约 3 至 4 倍的晶圆资源。这意味着，要产出相同数量的比特，需要的资本开支正在不断增加。

核心原因在于 8Hi 经济型产品占比提升，而 16Hi 技术最快延后至 2029 年才落地。8Hi 作为经济型产品生命周期被拉长，12Hi 主打高性能市场，TCB（热压键结）为现阶段主流封装方案。

面对这一持续短缺的局面，供给端正加速向 HBM 倾斜。其中，三星增加了 HBM 晶圆分配，2025 至 2028 年新增 DRAM 产能的 58% 预计投向 HBM 制造，HBM 占 DRAM 总产能比例预计由 19% 提升至 31%。

此外，下游客户格局将发生重要变化。2026 年英伟达仍是核心采购方，占总需求 58%。但 ASIC（专用集成电路，为特定任务定制设计的芯片）整机出货量年增可达 102%，远高于英伟达的 15%。

到 2027 年，ASIC 需求占比将升至 48%，英伟达回落至 43%，ASIC 超越英伟达成为 HBM 第一大消费方。不过英伟达单芯片 HBM 搭载量依旧高于 ASIC，二者容量溢价只是逐步收缩。

价格端仍有上行空间。摩根大通预计，HBM 平均售价 2027 年同比上涨 42%，2028 年继续上涨 25%，届时单位 Gb 价格达 3.8 美元（约合人民币 25.5 元），营业利润率维持在 60% 至 70% 区间。

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