硅基经济浪潮是渗透所有维度的范式革命，将重构人类文明底层代码。未来已来，硅基经济不是选择，而是必然，将是席卷人类社会每个角落的基础性范式革命，从能源获取、到生命密码，从价值交换、到文化生产，从基础设施、到劳动力结构，一切都将以硅为基，在全新的规则体系下运转，影响深度与广度将超越以往任何技术革命。

硅基经济专题：长存控股（拟 IPO）

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硅基经济，更前瞻，更硬核，支持专题 / 单篇付费解锁

一、中国存储双星，进入全球主要存储厂商阵营，国产存储产业形成重要支点。

1、中国是全球重要的存储芯片需求市场，过去长期缺少能参与全球竞争的本土存储厂商，关键存储芯片依赖海外供应。

中国电子产业，过去面对海外存储厂商调价、收缩供货、出口管制等情况，很难掌握主动权，面临供应链安全风险。

进入 AI 时代，存储芯片在算力基建中重要性进一步上升，高端存储成为 AI 算力发挥的关键约束。

高带宽内存 HBM 等高端存储，为 AI 芯片提供大容量、高带宽的数据读取支持，直接影响 AI 服务器与数据中心的算力表现。

中国只有实现存储芯片国产替代与自主供应，才能稳定自身整个算力产业链，为 AI 算力建设提供可靠支撑。

2、长鑫科技、长存控股，分别推动中国内存芯片 DRAM、闪存芯片 NAND 两类基础存储芯片，实现从 0 到 1 突破，构成中国存储双星。

2016 年，长鑫、长存同年成立，长鑫总部在合肥，长存总部在武汉。长鑫逐渐建立 DRAM 研发与量产体系，长存围绕三维堆叠 3D NAND 持续开发产品，让中国大陆逐步形成两类基础存储芯片的本土供应能力。

长鑫与长存的技术发展路径形成对照。

长鑫通过取得德国存储企业奇梦达的技术资产建立起点，再依靠自主研发与大规模制造持续升级。

长存依靠自主研发的晶栈 Xtacking 架构切入，在芯片结构与键合工艺上建立差异化优势，形成区别于国际头部存储厂商的技术路线。

长鑫与长存都推动将研发成果，转化为稳定良率、持续供货、客户认可，让技术路线成为长期竞争力。

长鑫目前产品体系，覆盖 DDR4、DDR5、LPDDR 等全系列。

2026 年 9 月，长鑫第 5 代 DRAM 技术平台 G5 量产，工艺水平达到全球行业顶尖量产节点。

长鑫基于 G5 平台的 24Gb LPDDR5X，进入国产主流旗舰手机供应链，LPDDR6 实现首发量产。

长存基于自研晶栈 Xtacking 架构，研发、量产多代 3D NAND 产品。

长存基于 Xtacking 4.0，规模化量产 267 层 3D NAND，通过将两片晶圆键合为一体，实现等效 294 层 3D NAND 工艺突破，技术水平跻身全球 NAND 厂商第一梯队。

2025 年 2 月，三星与长存签署 3D NAND 混合键合专利许可协议，是全球存储巨头首次在原创制造工艺方面，向中国企业付费获取专利授权。

长存自主研发的晶栈 Xtacking 架构，获得国际头部厂商关注，反映相关知识产权具有明显产业价值。

长鑫与长存，最初分别聚焦 DRAM 与 NAND，随着技术与客户基础扩大，开始探索更多产品市场，业务布局出现交叉。

长鑫、长存不满足现有业务边界，长鑫探索进入 NAND 市场，长存探索进入 DRAM 市场，两家业务布局开始交叉，同时分别积极探索高带宽内存 HBM、高带宽闪存 HBF 等更高价值产品领域，不断拓展发展空间。

全球三大存储巨头三星、SK 海力士、美光，均采用 DRAM 与 NAND 双线布局，是全球仅有的全品类存储厂商。

中国存储厂商从初期分工，走向产品交叉，指向全品类布局方向，也将面对更加全面的国际竞争。

3、长鑫与长存从国产替代的早期参与者，进入全球主要存储厂商阵营。

全球主要存储厂商，集中在韩国、美国、日本、中国。

韩国三星与 SK 海力士、美国美光，同时布局 DRAM、NAND、HBM 等市场；美国闪迪、日本铠侠，主要围绕 NAND 发展，保持长期制造方面合作；中国长鑫以 DRAM 为核心，中国长存以 NAND 为核心，持续扩大产能与全球份额。

中国香港科技产业研究机构 Counterpoint Research 统计，2026 年 Q2，长鑫按销售收入计算，取得约 10% 的全球 DRAM 份额，位列全球第四；长存按存储容量出货量计算，取得约 14% 全球 NAND 份额，位列全球第三。

国产存储价值，从增加中国本土存储供应，延伸到带动中国半导体产业链升级。

长鑫与长存的战略价值，既在于实现关键存储芯片自主供应，结束完全依赖进口的局面，也在于以大规模量产线，带动中国半导体设备、材料企业进入真实量产体系，推动整条半导体产业链走向成熟。

展望未来，长鑫与长存持续推进扩产与技术迭代，全球份额与产业影响力将稳步提升，同时长鑫 DRAM 能力，长存 NAND、混合键合、3D 堆叠能力，存在很大协同空间，将共同推动国产存储，从基础品类突破，走向高端存储、先进封装、系统级供给等领域，在全球存储产业格局中占据更加重要位置。

二、中国存储产业，沿横向扩产、纵向升级两条主线，扩大竞争空间。

1、长鑫与长存，积极把握本轮存储超级周期的机遇，沿横向扩产、纵向升级两条主线同步发力，向全球存储产业的核心位置迈进。

横向扩产，决定中国存储产业能在全球市场占据多大版图。

长鑫与长存持续扩大晶圆产能，把更多内存 DRAM、闪存 NAND 交付给客户，把中国市场的需求规模，转化为中国厂商的实际供给份额；产能规模越大，中国厂商在全球存储格局中的话语权越强。

纵向升级，决定中国存储产业能攀上多高的技术台阶。

长鑫与长存通过制程微缩（在芯片上把晶体管、存储单元、导线等元件的物理尺寸做小，使同样面积晶圆，能容纳更多元件）、架构迭代，提高单片晶圆的有效产出，向 HBM、企业级存储等高价格、高门槛市场突破；技术层级越高，中国厂商越能摆脱同质化竞争，掌握定价主动权。

本轮存储超级周期，为长鑫与长存打开扩大规模、向上突破的时间窗口，实现横向扩产、纵向升级相互支撑。

产能扩大后，制造效率决定新增投入能否在价格回落时保持竞争力。

技术突破后，稳定量产决定厂商能否承接大型客户的持续订单。

两条主线同步推进，长鑫与长存才能把周期红利，转化为穿越周期的长期实力。

2、横向扩产：存储芯片的制造特点，为中国厂商增加供给提供空间。

逻辑芯片与存储芯片的竞争方式不同，存储芯片更适合设计 + 制造一体化的 IDM 模式。

GPU、CPU、手机处理器等逻辑芯片，通常围绕具体应用设计。

不同客户需要不同的计算架构与功能组合，逻辑芯片产业逐步形成设计公司负责产品定义、晶圆代工厂负责制造的分工模式。

DRAM、NAND 等存储芯片，更接近可按明确指标比较的基础产品或大宗商品。

客户采购同类存储芯片时，主要比较容量、速度、功耗、可靠性、价格等。

存储厂商除设计芯片，还需持续调整制造工艺，让同一座晶圆厂稳定生产更多合格产品。

产品设计、晶圆制造、良率控制等，在存储产业中联系紧密，更适合采用设计制造一体化的 IDM 模式。

存储芯片与逻辑芯片的制造重点不同，中国存储厂商扩产，不完全受先进光刻机限制。

相比制造先进制程的逻辑芯片，长鑫与长存扩大存储芯片产能，对极紫外光刻机 EUV 依赖程度相对较低。

中国存储厂商扩产，有设备与工艺等约束，不会被 EUV 单点锁死，相比先进逻辑芯片对 EUV 严重依赖，存储芯片难点分布在多方面，对先进光刻机依赖相对较低，借助深紫外光刻机 DUV、多重图形化、垂直堆叠、刻蚀沉积、混合键合、良率工程等，有较大优化与升级空间。

先进逻辑芯片制造，看重制程节点与晶体管微缩，3nm、2nm 等先进制程，需要在极小尺寸内，提高晶体管密度、降低功耗、提升性能，对 EUV 光刻机依赖极强。

中国目前无法采购 EUV，对最先进逻辑芯片制造形成约束。

对比长鑫、长存，长鑫 DRAM 更看重光刻精度，扩产与技术升级，受先进光刻设备供给影响较大；长存 3D NAND 更多依靠垂直堆叠，提高存储密度，对最先进光刻设备依赖较低。

长鑫 DRAM 制造，光刻精度是重要基础，更看重存储单元微缩与工艺一致性，制造难点包括电容结构、漏电控制、良率控制、成本优化等。

长鑫即使没有 EUV，也能利用现有 DUV 与多重图形化技术路线，实现量产与扩产，尤其是借助第 5 代技术平台 G5，采用四重曝光，实现更小尺寸的存储结构。

长存 3D NAND 制造，更看重垂直堆叠与高深宽比工艺，主要通过增加存储层数，在相近芯片面积内提高容量，制造难点更多集中在通道孔刻蚀、薄膜沉积、晶圆键合等环节，对精细光刻能力依赖，低于 DRAM。

长存基于晶栈 Xtacking 架构，提高芯片存储密度，优化传输性能与迭代效率，为依托非 EUV 工艺持续升级产品，提供技术基础。

存储紧缺周期中，扩产速度直接决定厂商能抢到多少市场份额。

三星、SK 海力士、美光同样在扩产，大型洁净室建设、设备交付、客户验证都需要时间。

长鑫与长存凭借建设与配套效率，新项目从开工到量产的周期更短，能在供给紧张阶段，更快释放产能，争取更多客户与订单。

长鑫与长存的技术持续升级，同时扩产更快、规模更大，是国际存储巨头担忧未来长鑫与长存竞争压力的主要原因。

3、纵向升级：长鑫提高 DRAM 制造效率，长存推进 NAND 架构迭代。

长鑫与长存的技术升级，核心是让同样的晶圆投入，生产更多、更有价值的存储芯片。

长鑫持续缩小 DRAM 存储单元、改善电容结构，提高每片晶圆的芯片产出。

长存持续增加 NAND 堆叠层数、优化晶栈 Xtacking 架构，提高单位晶圆面积能保存的数据量。

技术进步与产能扩张相互配合，有助长鑫与长存在扩大供货时，持续改善单位成本。

2026 年 9 月，长鑫宣布第 5 代 DRAM 技术平台 G5 量产。长鑫披露，在单颗芯片容量同为 24Gb 条件下，G5 平台每片晶圆产出的裸片数量，较上一代平台提高至少 50%。

长鑫目前形成常规 DRAM 规模化制造能力，积极向 HBM 等高端产品升级。

长鑫持续推进 HBM 产品研发与相关产线建设，媒体报道，长鑫 HBM3 样品已向华为等国内 AI 芯片客户送样验证，未来长鑫将从常规 DRAM 制造，进一步进入面向 AI 算力的高端存储领域。

长存技术优势，集中在先进 3D NAND、与晶栈 Xtacking 架构。长存推出采用 Xtacking 4.0 架构的产品，继续研发新一代 NAND 技术。

高带宽闪存 HBF，是 NAND 领域值得关注的新技术方向。

长存提出利用高带宽 NAND，支持存储与计算协同的技术思路，晶栈 Xtacking 架构积累的先进键合能力，为探索新型产品提供基础。

HBF 目前处于技术与标准形成阶段，长存探索 HBF 具有现成技术基础，长存基于晶栈 Xtacking 架构，积累将处理器与 NAND 闪存键合集成的相关技术，为进一步缩短数据在存储与计算单元间的传输距离提供基础。

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