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长鑫科技拟以130亿元超募资金投建DRAM研发项目 项目投资总额349亿
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来源:21 世纪经济报道

观点网讯:9 月 28 日晚间,长鑫科技公告,公司拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目。

同时,长鑫科技拟通过增资和借款方式,向全资子公司长鑫存储产品 ( 合肥 ) 有限公司提供超募资金 50 亿元,由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

该二期项目计划建设一座测试工厂,为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装。

公告显示,上述两个项目投资总额分别为 241 亿元和 108 亿元。

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