通富微电申请芯片封装结构及封装方法专利,实现对芯片局部热点区的精准液冷散热

国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为 " 一种芯片封装结构及封装方法 " 的专利，公开号 CN122892557A，申请日期为 2026 年 6 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种芯片封装结构及封装方法，该芯片封装结构中，在中介体背离基板的一侧设置有包裹于重布线层内的微流道，第二芯片倒装连接于重布线层且第二芯片的热点区与微流道相连，第二芯片的热点区与微流道直接相连，实现了对芯片局部热点区的精准液冷散热，大幅缩短了散热路径，使散热更直接，更有针对性，提升芯片在最大功率峰值散热水平，避免了热量需穿过整个芯片基体才能散发的低效问题；同时，利用中介体作为微流道载体，无需额外占用基板表面的空间，有利于封装体的小型化；可在不影响电连接的基础上采用形成在重布线层内部的微流道实现芯片热点区的直接散热，比起现有技术中采用散热器的结构，实现小型化封装。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为 AI 基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。