国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其制备方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN122892182A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善由于对准误差造成的半导体柱相对栅极层中心发生偏移的问题。该半导体结构包括：半导体柱、栅极层和介质层。其中，半导体柱沿第一方向延伸；栅极层沿第二方向延伸，栅极层环绕半导体柱的部分侧壁；至少部分介质层位于栅极层沿第一方向的一侧，且环绕半导体柱设置；介质层包括第一介质层和第二介质层，部分第一介质层位于半导体柱沿第三方向的两侧，部分第二介质层位于半导体柱沿第二方向的两侧。上述半导体结构是通过自对准的方式形成用于制备半导体柱的通孔，有利于减少对准误差。

天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 1782000 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了 7 家企业，参与招投标项目 6 次，专利信息 109 条，此外企业还拥有行政许可 5 个。

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