晶合集成公开半导体器件的金属布线及其形成方法专利

企查查数据显示，晶合集成（02249.HK）公开半导体器件的金属布线及其形成方法专利，申请日期为 2026 年 9 月 8 日。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的金属布线及其形成方法，所述金属布线的形成方法包括：形成第一层介质层，并且形成贯穿所述第一层介质层的通孔；形成阻挡层，所述阻挡层共形地覆盖所述通孔的底部和侧壁；形成第二层介质层，所述第二层介质层覆盖所述第一层介质层的表面并且填充所述通孔剩余的空间；选择性地去除所述通孔中的第二层介质层，并且在所述通孔中填充布线金属。

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