随着行业推进到 10nm 以下级别的先进制程节点，DRAM 扩展变得越来越复杂。除了运用到更为先进的 EUV 光刻机外，三星和 SK 海力士等 DRAM 制造商还将逐步引入了新结构、新技术、以及新材料，其中包括了 4F ² 单元结构。相比于 6F ² 单元结构，新结构能将每个存储单元置于 2F × 2F 的面积内，运用更先进的扩展方法。按照三星的说法，可在相同芯片尺寸内将单元密度提升了 30% 至 50%。

据 TrendForce 报道，今年长鑫存储（CXMT）可以说是风光无限，不但成功上市，成为 A 股市值最高公司，而且先后宣布量产第五代 DRAM 技术平台（简称 "G5 平台 "）和 LPDDR6 内存，一下子站到了行业的前沿。近日在上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储对外公布了 4F ² 单元结构研发取得关键进展，预计于今年末推出融合 4F ² 单元结构与混合键合技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

长鑫存储的 4F ² 单元结构的核心创新属于自研的 VSG 垂直包围沟道晶体管，能够强化栅控能力，改善漏电与短沟道效应，同时晶体管垂直布局可实现芯片面积微缩。为了适配新的结构，长鑫存储还针对字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺进行攻关，并结合混合键合技术，将存储阵列与外围逻辑电路分开在两片晶圆制造，再通过键合工艺整合，突破传统单片 DRAM 制造的工艺限制。

长鑫存储表示，已经拥有行业领先的专利组合。公开资料显示，长鑫存储自成立起，便开始了 4F ² 单元结构的开发工作，相关公开专利已超过 300 件。长鑫存储激进的 4F ² DRAM 时间表已经让竞争对手警觉，要知道三星还没有相关量产计划，至少 2028 年之前该技术不会进入市场。